実績

-2024年9月、新潟 –

■スパッタリング単独プロセスによるSi上強誘電体エピタキシャルキャパシタの形成（招待講演）　　吉村 武
■YbFe₂O₄ エピタキシャル薄膜の結晶相と組成の制御　　　嶋本 健人
■Non-destructive measurement of longitudinal piezoelectric properties for thin films　　Aphayvong Sengsavang
■強相関強誘電体YMnO₃ 薄膜の電子準位と光誘起電流　　　市川 颯大
■ALD法で作製したGa₂O₃薄膜の成長機構　　　市川 龍斗
■圧電共振子リザバーにおける非線形性と学習性能の関係　　　庄野 武洋
■スパッタ法によるAl_1-xSc_xN/Siヘテロ構造の作製Ⅱ　　　山田 洋人
■(Ce,Mn)置換ZnO薄膜の低温エピタキシャル成長と電気的特性評価　　　阪口 萌生
■強誘電体ゲートFETを用いた物理リザバー計算における分極状態と学習性能の関係　　　請関 優
■SOI基板上BiFe_1-xMn_xO₃薄膜の作製と評価　　　高城 明佳
■圧電振動子電流センサを用いた物理リザバーコンピューティング　　　西村 恵
■β-Ga₂O₃上のHfO₂系極薄膜成長の結晶方位依存性　　　古川 勝裕
■BiFe_1-xMn_xO₃エピタキシャル膜の結晶構造と電気的特性　　　藤原 輝羅
■成長空間におけるRFプラズマの評価とβ-Ga₂O₃薄膜のALD成長　　　阿多 翔大