国際活動

2001年11月10日

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[The 1st International Conference on FeRAM]

-Nov.2001年,　Gotenba, Japan-
■ The Present Status of YMnO3 Based Ferroelectric Gate FET’s (Invited)　　Norifumi Fujimura
■Dielectric Properties of Epitaxial Y2O3/Si Thin Films Deposited by a Pulsed Laser Deposition　　T. Matsui