国際活動

1999年10月10日

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[International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 3rd ISCSI]

-1999年10月, Karuizawa, Japan-
■ Influence of reactive ion etching damage on the Schottky barrier height of Ti/p-Si interface
Norifumi Fujimura
■ Improvement of Y2O3/Si interface for FeRAM application　　Daisuke Ito