電子ビーム描画装置（EB）

仕様 特徴

電子ビームを用いて基板へ直接微細パターンを描画する装置です。

最小線幅10 nmの描画が可能で、重ね合わせ精度は60 nmです。

最大6インチφウェハ試料又は6インチ□マスク試料が装着でき、高速描画・大面積描画にも対応できます。

電子銃　　　　　　　　　　　　ZrO/W熱電界放射型

加速電圧　　　　　　　　　　　50 kV （固定）、30 kV、20 kV

最小電子ビーム径　　　　　　　φ2 nm （於50 kV）

描画最小線幅　　　　　　　　　10 nm （於50 kV、75 μm□）

ビーム電流強度　　　　　　　　1×10^-12 ~ 5×10^-8 A （50 kV加速の場合）

描画フィールドサイズ　　　　　   1,200 μm□、600 μm□、300 μm□、150 μm□、75 μm□、

　　　　　　　　　　　　　　　2,400 μm□ （加速電圧20 kVの場合のみ）

ビームポジション　　　　　　　  18 bit DACによる位置決め（1フィールド最大240,000×240,000ポジション分解）

ビーム位置決め分解能　　　　　0.31 nm （75 μm□使用時）、2.5 nm （600 μm□使用時）

フィールドつなぎ精度　　　　　   50 nm

重ね合わせ精度　　　　　　　　60 nm

最大試料サイズ　　　　　　　　4インチφウエハー試料、または4インチ□マスク試料

カセット　　　　　　　　　　　 カセット1 : □3 mm~25 mm　6片

　　　　　　　　　　　　　　   カセット2 : □10 mm~15 mm、 □20 mm~25 mm、□40 mm、□50 mm　各1片

　　　　　　　　　　　　　　   カセット3 : φ3インチ　1片

　　　　　　　　　　　　　　   カセット4 : φ4インチ　1片

CADソフトウェア　　　　　　　  標準CAD、レジストレーション、DXF変換、GDS II変換、CPG、スポット描画、

　　　　　　　　　　　　　　  ラスタースキャン、ユーザープログラミング

学内 利用料金設定

• • 本人測定：基本料（50,000円/年・グループ）、使用料（2,500円/時間）

学外 利用料金設定

• • 共同 受託研究：実施および費用は双方で協議の上、決定