集束イオンビーム加工観察装置（FIB）

仕様 特徴

きわめて細く集束したGaイオンビームを試料表面に照射・走査することで、二次電子顕微鏡像の観察、

試料エッチング、化合物ガスを用いたデポジション（W膜形成）を行う装置です。

マイクロサンプリング機構を有しており、試料の所定箇所をエッチングしてから薄片を切り出し持ち運ぶことが可能です。

TEM試料作製や断面加工観察を容易に行うことができます。

試料サイズ　　　　　　　　　　　最大φ100×23 (h) mm

試料ステージ　　　　　　　　　　5軸電動ユーセントリックステージ

加速電圧　　　　　　　　　　　   10~40 kV （10 kVステップで切り替え）

最大ビーム電流　　　　　　　　　30 nA以上

最大ビーム電流密度　　　　　　　25 A/cm²以上

SIM像分解能　　　　　　　　　　6 nm以下

倍率（ディスプレイ上）　　　　　　 700~90,000倍

イオン源　　　　　　　　　　　　Ga液体金属イオン源

学内 利用料金設定

• • 本人測定：基本料（30,000円/年・グループ）、使用料（1,000円/時間）

学外 利用料金設定

• • 共同 受託研究：実施および費用は双方で協議の上、決定