ロードロック式3元スパッタ装置

仕様 特徴

3つの6インチのターゲットを取り付けることが可能で、現在Nb、Cr、Al、MoGeが利用できます。

最大4インチまでの基板に成膜ができ、ロードロック機構を備えているので8×10^ｰ4Paまで10分以内に到達します。

基板サイズ・数量　　　　　　　　　　　　　MAX直径4インチ、4枚

到達圧力　　　　　　　　　　　　　　　　 成膜室 8.0×10^-5 Pa以下、試料交換室 8.0×10^-4 Pa以下

ガスの種類　　　　　　　　　　　　　　　  Ar, N₂, O₂

圧力制御　　　　　　　　　　　　　　　　 自動可変コンダクタンスバルブによる圧力制御（制御圧力を設定する）

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 手動によりマスフローのガス流量を設定する

ベント用ガス　　　　　　　　　　　　　　   乾燥窒素

スパッタ方式　　　　　　　　　　　　　　   DCマグネトロンスパッタ方式

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 水冷カソード、ターゲット上置き；電源容量 1.5 kW

ターゲット　　　　　　　　　　　　　　　   種類 Al, Nb, Cr （カソードは3か所）

スパッタ放電圧力範囲　　　　　　　　　　   0.3 Pa~10 Pa

ターゲット基板間距離　　　　　　　　　　   50~150 mm 可変

膜厚分布　　　　　　　　　　　　　　　　 ±15 %以下 （2インチ基板固定時、最適な基板間距離において）

カソード切替方式　　　　　　　　　　　　  タッチパネル操作にて3か所のカソードの選択

基板加熱温度　　　　　　　　　　　　　　400 ℃ （MAX）

温度制御精度　　　　　　　　　　　　　   ±10 ℃以下

数量　　　　　　　　　　　　　　　　　   1式　位置固定

基板洗浄方式　　　　　　　　　　　　　   RF平行平板方式　300 W、基板側に高周波 （13.56 MHz）を印加

洗浄放電圧力範囲　　　　　　　　　　　   0.3~10 Pa

基板ー対向電極間距離　　　　　　　　　   75~200 mm　可変 （手動）

学内 利用料金設定

• • 本人測定：基本料（5,000円/年・グループ）、使用料（3,000円/時間）

学外 利用料金設定

• • 共同 受託研究：実施および費用は双方で協議の上、決定