34_電界放出型走査電子顕微鏡

仕様 特徴

・通常の二次電子像に加えて，反射電子(後方散乱電子)像の撮影が可能
・Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy(EDS)による化学分析
・Electron Backscatter Diffraction(EBSD)法による結晶方位解析

　高いプローブ電流の条件で反射電子像を取得することで，原子番号コントラストや結晶方位(電子チャンネリング)コントラストを得ることができる．
　SEM/EDS法は分解能が高く，1μm程度の領域でも元素分析ができる．
　表面を平滑に研磨した結晶性材料に対しては，EBSD法で広い範囲で結晶方位を得ることができる．付属のソフトで極点図や粒界マップなどの描画が可能．
　導電性が無い試料については，金やオスミウムなどによるコーティングが必要．ただし，低加速電圧で低倍率での観察ならば，コーティングなしでも観察可能な場合あり．
　水分を含んだり，真空中でガスを放出する材料については観察不可．　　

【測定例1：材料の開発のため】
表面の観察，粒子の形態観察，反射電子像による重原子相の同定，EBSD法による集合組織の分析，EDSによる元素マッピング，EDSによる定量分析，EBSDとEDSの組合わせによる相同定．

【測定例2：材料の損傷解析のため】
破面形態観察，すべり帯・せん断帯の観察，腐食の分析，結晶格子回転の解析，相変態の解析，自己組織化した転位構造の観察．

学内 利用料金設定

• • 本人測定：料金は別途お問い合わせください。

学外 利用料金設定

• • 学術指導：実施及び費用は双方で協議の上、決定します。
  • 共同 受託研究：実施及び費用は双方で協議の上、決定します。