最新の研究成果

大学院工学研究科の梁 剣波准教授の研究開発課題が、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）による「官民による若手研究者発掘支援事業」マッチングサポートフェーズに採択されました。

本事業は、実用化に向けた目的志向型の創造的な基礎又は応用研究を行う大学等に所属する若手研究者を発掘し、若手研究者と企業との共同研究等の形成を促進する等の支援をすることにより、次世代のイノベーションを担う人材を育成するとともに、我が国における新産業の創出に貢献することを目的として実施されます。

採択内容

■研究開発課題名
ＧａＮ成膜用低熱抵抗３Ｃ－ＳｉＣ－ｏｎ－ダイヤモンド基板の研究開発
■研究実施予定期間
2022年10月～2023年９月

研究課題のポイント

• GaNの結晶成長に適合する1100℃高温耐熱性を備えた3C-SiC/ダイヤモンド接合界面の実現
• 3C-SiC/ダイヤモンド直接接合界面の熱伝導特性の解明、理論値に近い低熱抵抗界面の実現
• ダイヤモンド結晶性と接合特性の相関解明、ダイヤの結晶性と適用可能性の関係の明確化

梁准教授のコメント

本研究では、高耐熱性・低熱抵抗3C-SiC-on-ダイヤモンドエンジニアリングを実現し、同基板上にGaN層を製膜し素子プロセスを適用することにより、直接接合技術に投資することなく、従来以上に高出力、高効率なGaN素子を作製可能とすることを目指します。

関連情報

「官民による若手研究者発掘支援事業」に係る実施体制の決定について
https://www.nedo.go.jp/koubo/SM3_100001_00021.html