研究業績リスト（東脇　正高）

学術論文

酸化ガリウムデバイスに関する研究開発

2024

Z. Chen, M. Smith, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Insights into the behavior of leakage current and switching instability in lateral β-Ga₂O₃ MOSFETs," IEEE Trans. Electron Devices Lett. in press (2024).
M. Higashiwaki, "Gallium oxide power electronics - The key semiconductor for realizing energy sustainable future -," IEEE Electron Device Magazine in press (2024): [Invited review].
Z. Wang, S. Kumar, T. Kamimura, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Ga₂O₃ fin field-effect transistors with on-axis (100)-plane gate sidewalls fabricated on Ga₂O₃ (010) substrates," Jpn. J. Appl. Phys., vol. 63, pp. 100902 (2024).
J. J. Morihara, J. Inajima, Z. Wang, J. Yoshinaga, S. Sato, K. Eguchi, T. Tsutsumi, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Electrical properties of unintentionally doped β-Ga₂O₃ (010) thin films grown by low-pressure hot-wall metalorganic chemical vapor deposition," Jpn. J. Appl. Phys., vol. 63, pp. 080901 (2024).
M. Fregolent, F. Piva, M. Buffolo, C. De Santi, A. Cester, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, and M. Meneghini, "Advanced defect spectroscopy in wide bandgap semicondutors: Review and recent results," J. Phys. D, vol. 57, pp. 433002 (2024).
M. Higashiwaki and M. H. Wong, "Beta-gallium oxide material and device technologies," Annu. Rev. Mater. Res. vol. 54, pp. 175-198 (2024): [Invited review].

2023

A. Mishra , M. J. Uren, M. D. Smith, Z. Chen, A. K. Bhat, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Extraction of sub-threshold mobility in Ga₂O₃ lateral transistors from AC conductance," IEEE Electron Device Lett. vol. 44, no. 12, pp. 1943-1946 (2023).
T. Ohtsuki, T. Kamimura, and M. Higashiwaki, "Suppression of drain current leakage and short-channel effect in lateral Ga₂O₃ RF MOSFETs using (Al_xGa_1−x)₂O₃ back-barrier," IEEE Electron Device Lett. vol. 44, no. 11, pp. 1829-1832 (2023).
T. Ohtsuki and M. Higashiwaki, "Crystallinity degradation and defect development in (Al_xGa_1−x)₂O₃ thin films with increased Al composition," J. Vac. Sci. Tech. A vol. 41, pp. 042712 (2023).
R. Togashi, K. Goto, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai, "Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of group-III sesquioxides," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 62, pp. 055503 (2023).
Z. Wang, T. Kitada, D. Takatsuki, J. Liang, N. Shigekawa, and M. Higashiwaki, "Electrical properties and energy band alignments of p-Si/n-Ga₂O₃ and p⁺-Si/n-Ga₂O₃ heterostructures fabricated by surface-activated bonding," J. Appl. Phys. vol. 133, pp. 194503 (2023).
Z. Chen, A. Mishra, M. Smith, A. K. Bhat, M. J. Uren, S. Kumar, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Modelling of Impedance dispersion in lateral β-Ga₂O₃ MOSFETs due to parallel conductive Si-accumulation layer," Appl. Phys. Express vol. 16, pp. 044002 (2023).
R. Togashi, H. Ishida, K. Goto, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai, "Thermodynamic analysis of β-Ga₂O₃ growth by molecular beam epitaxy," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 62, pp. 015501 (2023).

2022

S. Kumar, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Vertical β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes with trench staircase field plate," Appl. Phys. Express vol. 15, pp. 054001 (2022).
K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai, "Effect of substrate orientation on homoepitaxial growth of β-Ga₂O₃ by halide vapor phase epitaxy," Appl. Phys. Lett. vol. 120, pp. 102102 (2022).
J. Liang, D. Takatsuki, M. Higashiwaki, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, and N. Shigekawa, "Fabrication of β-Ga₂O₃/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 61, pp. SF1001 (2022).
Z. Wang, D. Takatsuki, J. Liang, T. Kitada, N. Shigekawa, and M. Higashiwaki, "Fabrication of n-Si/n-Ga₂O₃ heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties," J. Appl. Phys. vol. 131, pp. 074501 (2022).
X. Zheng, T. Moule, J. W. Pomeroy, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "A trapping tolerant drain current based temperature measurement of β-Ga₂O₃ MOSFETs," Appl. Phys. Lett. vol. 120, pp. 073502 (2022).
A. J Green, J. S. Speck, H. G. Xing, P. Moens, F. Allerstam, K. Gumaelius, T. Neyer, A. Arias-Purdue, V. Mehrotra, A. Kuramata, K. Sasaki, S. Watanabe, K. Koshi, J. D. Blevins, O. Bierwagen, S. Krishnamoorthy, K. D. Leedy, A. R. Arehart, A. T. Neal, S. Mou, S. A. Ringel, A. Kumar, A. Sharma, K. Ghosh, U. Singisetti, W. Li, K. D. Chabak, K. Liddy, A. E. Islam, S. Rajan, S. Graham, S. Choi, Z. Cheng, and M. Higashiwaki," APL Materials Roadmap - β-gallium oxide power electronics," APL Mater. vol. 10, pp. 029201 (2022).
M. Higashiwaki, "β-Ga₂O₃ material properties, growth technologies, and devices: a review," AAPPS Bulletin vol. 32, an. 3 (2022): [Invited review].

2021

M. Fregolent, C. De Santi, M. Buffolo, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E, Zanoni, and M. Meneghini, "Impact of thermal annealing on deep levels in nitrogen-implanted β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes," J. Appl. Phys. vol. 130, pp. 245704 (2021).
M. Higashiwaki, "β-gallium oxide devices: Progress and outlook," Phys. Status Solidi (RRL) vol. 15, pp. 2100357 (2021): [Invited review: 60 years of pss].
A. Mannan, K. Yamahara, F. R. G. Bagsican, K. Serita, H. Murakami, I. Kawayama, M. Higashiwaki, and M. Tonouchi, "Terahertz emission spectroscopy of GaN-based heterostructures," J. Appl. Phys. vol. 129, pp. 245702 (2021).
T. Onuma, K. Sasaki, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Selective observation of transverse optical phonons of Au modes to evaluate free charge carrier parameters in β-Ga₂O₃ substrate and homoepitaxial film," Appl. Phys. Lett. vol. 118, pp. 252101 (2021).
M. Nakanishi, M. H. Wong, T. Yamaguchi, T. Honda, M. Higashiwaki, and T. Onuma, "Effect of thermal annealing on photoexcited carriers in nitrogen-ion-implanted β-Ga₂O₃ crystals detected by photocurrent measurement," AIP Advances vol. 11, pp. 035237 (2021).
T. Kamimura, Y. Nakata, and M. Higashiwaki, "Effect of (AlGa)₂O₃ back barrier on device characteristics of β-Ga₂O₃ metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with Si-implanted channel," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 60, pp. 030906 (2021).
M. H. Wong, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Aperture-limited conduction and its possible mechanism in ion-implanted current aperture vertical β-Ga₂O₃ MOSFETs," Appl. Phys. Lett. vol. 118, pp. 012102 (2021).

2020

C. De Santi, M. Fregolent, M. Buffolo, M. H. Wong, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, and M. Meneghini, "Carrier capture kinetics, deep levels and isolation properties of β-Ga₂O₃ Schottky-barrier diodes damaged by nitrogen implantation," Appl. Phys. Lett. vol. 117, pp. 262108 (2020).
T. Kamimura, Y. Nakata, and M. Higashiwaki, "Delay-time analysis in radio-frequency β-Ga₂O₃ field effect transistors," Appl. Phys. Lett. vol. 117, pp. 253501 (2020).
A. Mishra, T. Moule, M. J. Uren, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Characterization of trap states in buried nitrogen-implanted β-Ga₂O₃," Appl. Phys. Lett. vol. 117, pp. 243505 (2020).
S. Kumar, T. Kamimura, C.-H. Lin, Y. Nakata, and M. Higashiwaki, "Reduction in leakage current through interface between Ga₂O₃ epitaxial layer and substrate by ion implantation doping of compensating impurities," Appl. Phys. Lett. vol. 117, pp. 193502 (2020).
M. H. Wong and M. Higashiwaki, "Vertical β-Ga₂O₃ power transistors: A review," IEEE Trans. Electron Devices Lett. vol. 67, no. 10, pp. 3925-3937 (2020): [Invited paper].
M. H. Wong, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Enhancement-mode β-Ga₂O₃ current aperture vertical MOSFETs with N-ion-implanted blocker," IEEE Electron Device Lett. vol. 41, no. 2, pp. 296-299 (2020).

2019

T. Onuma, K. Tanaka, K. Sasaki, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Electroreflectance study on optical anisotropy in β-Ga₂O₃," Appl. Phys. Lett. vol. 115, pp. 231102 (2019).
C. De Santi, A. Nardo, M. H. Wong, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, and M. Meneghini, "Stability and degradation of isolation and surface in Ga₂O₃ devices," Microelectronics Reliability, vol. 100–101, pp. 113453 (2019).
M. H. Wong and M. Higashiwaki, "Gallium oxide field effect transistors — Establishing new frontiers of power switching and radiation-hard electronics," Int. J. High Speed Electron. Syst., vol. 28, no. 1-2, pp. 1940002 (2019): [Invited review].
C.-H. Lin, Y. Yuda, M. H. Wong, M. Sato, N. Takekawa, K. Konishi, T. Watahiki, M. Yamamuka, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Vertical Ga₂O₃ Schottky barrier diodes with guard ring formed by nitrogen-ion implantation," IEEE Electron Device Lett. vol. 40, no. 9, pp. 1487-1490 (2019).
T. Kamimura, Y. Nakata, M. H. Wong, and M. Higashiwaki, "Normally-off Ga₂O₃ MOSFETs with unintentionally nitrogen-doped channel layer grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy," IEEE Electron Device Lett. vol. 40, no. 7, pp. 1064-1067 (2019).
M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Current aperture vertical β-Ga₂O₃ MOSFETs fabricated by N- and Si-ion implantation doping," IEEE Electron Device Lett. vol. 40, no. 3, pp. 431-434 (2019).
J. W. Pomeroy, C. Middleton, M. Singh, S. Dalcanale, M. J. Uren, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Raman thermography of peak channel temperature in β-Ga₂O₃ MOSFETs," IEEE Electron Device Lett. vol. 40, no. 2, pp. 189-192 (2019).
C.-H. Lin, N. Hatta, K. Konishi, S. Watanabe, A. Kuramata, K. Yagi, and M. Higashiwaki, "Single-crystal-Ga₂O₃/polycrystalline-SiC bonded substrate with low thermal and electrical resistances at the heterointerface," Appl. Phys. Lett. vol. 114, pp. 032103 (2019).

2018

K. Goto, K. Konishi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, M. Higashiwaki, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Halide vapor phase epitaxy of Si doped β-Ga₂O₃ and its electrical properties," Thin Solid Films vol. 666, pp. 182-184 (2018).
M. Singh, M. A. Casbon, M. J. Uren, J. W. Pomeroy, S. Dalcanale, S. Karboyan, P. J. Tasker, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Pulsed large signal RF performance of field-plated Ga₂O₃ MOSFETs," IEEE Electron Device Lett. vol. 39, no. 10, pp. 1572-1575 (2018).
M. H. Wong, C.-H. Lin, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Acceptor doping of β-Ga₂O₃ by Mg and N ion implantations," Appl. Phys. Lett., vol. 113, pp. 102103 (2018).
T. Onuma, Y. Nakata, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Modeling and interpretation of UV and blue luminescence intensity in β-Ga₂O₃ by silicon and nitrogen doping," J. Appl. Phys. vol. 124, pp. 075103 (2018).
H. Gao, S. Muralidharan, N. Pronin, M. R. Karim, S. M. White, T. Asel, G. Foster, S. Krishnatmoorthy, S. Rajan, L. R. Cao, M. Higashiwaki, H. von Wenckstern, M. Grundmann, H. Zhao, D. C. Look, and L. J. Brillson, "Optical signatures of deep level defects in Ga₂O₃," Appl. Phys. Lett. vol. 112, pp. 242102 (2018).
K. Konishi, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and Y. Kumagai, "Comparison of O₂ and H₂O as oxygen source for homoepitaxial growth of β-Ga₂O₃ layers by halide vapor phase epitaxy," J. Cryst. Growth vol. 492, pp. 39-44 (2018).
M. H. Wong, K. Goto, Y. Morikawa, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "All-ion-implanted planar-gate current aperture vertical Ga₂O₃ MOSFETs with Mg-doped blocking layer," Appl. Phys. Express vol. 11, pp. 064102 (2018).
M. Ono, K. Sasaki, H. Nagai, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Sato, T. Honda, and T. Onuma, "Relation between electrical and optical properties of p-type NiO films," Phys. Status Solidi B, vol. 255, pp. 1700311 (2018).
M. Higashiwaki and G. H. Jessen, "The dawn of gallium oxide microelectronics," Appl. Phys. Lett. vol. 112, pp. 060401 (2018): [Guest Editorial].
M. H. Wong, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Radiation hardness of β-Ga₂O₃ metal-oxide-semiconductor field-effect transistors against gamma-ray irradiation," Appl. Phys. Lett. vol. 112, pp. 023503 (2018).
J. Y. Tsao, S. Chowdhury, M. Hollis, D. Jena, N. M. Johnson, K. A. Jones, R. J. Kaplar, S. Rajan, C. Van de Walle, E. Bellotti, C. L. Chua, R. Collazo, M. E. Coltrin, J. A. Cooper, K. Evans, S. Graham, T. A. Grotjohn, E. R. Heller, M. Higashiwaki, M. Saif Islam, P. W. Juodawlkis, A. Khan, A. D. Koehler, J. Leach, U. K. Mishra, R. J. Nemanich, R. Pilawa-Podgurski, J. B. Shealy, Z. Sitar, M. J. Tadjer, A. F. Witulski, M. Wraback, and J. A. Simmons, "Ultrawide-bandgap semiconductors: research opportunities and challenges," Adv. Electron. Mater. vol. 4, pp. 1600501 (2018): [Review].
S. Knight, A. Mock, R. Korlacki, V. Darakchieva, B. Monemar, Y. Kumagai, K. Goto, M. Higashiwaki, and M. Schubert, "Electron effective mass in Sn-doped monoclinic single crystal β-gallium oxide determined by mid-infrared optical Hall effect," Appl. Phys. Lett. vol. 112, pp. 012103 (2018).

2017

A. Mock, R. Korlacki, C. Briley, V. Darakchieva, B. Monemar, Y. Kumagai, K. Goto, M. Higashiwaki, and M. Schubert, "Band-to-band transitions, selection rules, effective mass, and excitonic contributions in monoclinic β-Ga₂O₃," Phys. Rev. B vol. 96, pp. 245205 (2017).
M. Higashiwaki, A. Kuramata, H. Murakami, and Y. Kumagai, "State-of-the-art technologies of gallium oxide power devices," J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 50, no. 33, pp. 333002 (2017): [Topical review].
K. Sasaki, D. Wakimoto, Q. T. Thieu, Y. Koishikawa, A. Kuramata, M. Higashiwaki, and S. Yamakoshi, "First demonstration of Ga₂O₃ trench MOS-type Schottky barrier diodes," IEEE Electron Device Lett. vol. 38, no. 6, pp. 783-785 (2017).
K. Konishi, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "1-kV vertical Ga₂O₃ field-plated Schottky barrier diodes," Appl. Phys. Lett. vol. 110, pp. 103506 (2017).
M. H. Wong, Y. Nakata, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Enhancement-mode Ga₂O₃ MOSFETs with Si-ion-implanted source and drain," Appl. Phys. Express vol. 10, pp. 041101 (2017).
T. P. Chow, I. Omura, M. Higashiwaki, H. Kawarada, and V. Pala, "Smart power devices and ICs using GaAs and wide and extreme bandgap semiconductors," IEEE Trans. Electron Devices vol. 64, no. 3, pp. 856-873 (2017): [Invited paper].

2016

N. T. Son, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, A. Koukitu, S. Yamakoshi, B. Monemar, and E. Janzén, "Electronic properties of the residual donor in unintentionally doped β-Ga₂O₃," J. Appl. Phys., vol. 120, pp. 235703 (2016).
M. H. Wong, Y. Morikawa, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Characterization of channel temperature in Ga₂O₃ metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by electrical measurements and thermal modeling," Appl. Phys. Lett. vol. 109, pp. 193503 (2016).
M. Higashiwaki, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Kuramata, "Current status of Ga₂O₃ power devices," Jpn, J. Appl. Phys., vol. 55, pp. 1202A1 (2016): [Invited review].
M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Electron channel mobility in silicon-doped Ga₂O₃ MOSFETs with a resistive buffer layer," Jpn, J. Appl. Phys., vol. 55, pp. 1202B9 (2016).
T. Kamimura, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Epitaxially grown crystalline Al₂O₃ interlayer on β-Ga₂O₃ (010) and its suppressed interface state density," Jpn, J. Appl. Phys., vol. 55, pp. 1202B5 (2016).
T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, and M. Higashiwaki, "Spectroscopic ellipsometry studies on β-Ga₂O₃ films and single crystal," Jpn, J. Appl. Phys. vol. 55, pp. 1202B2 (2016).
東脇正高、倉又朗人、村上尚、熊谷義直, "酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状," 電子情報通信学会和文論文誌C vol. J99-C, no. 9, pp. 448-455 (2016): [招待論文].
東脇正高、佐々木公平、村上尚、熊谷義直、倉又朗人, "酸化ガリウムショットキーバリアダイオード," 電気学会論文誌C vol. 136, pp. 479-483 (2016).
M. Higashiwaki, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Temperature-dependent capacitance-voltage and current-voltage characteristics of Pt/Ga₂O₃ (001) Schottky barrier diodes fabricated on n^--Ga₂O₃ drift layers grown by halide vapor phase epitaxy," Appl. Phys. Lett. vol. 108, pp. 133503 (2016).
M. Schubert, R. Korlacki, S. Knight, T. Hofmann, S. Sch&oumlche, V. Darakchieva, E. Janz&eacuten, B. Monemar, D. Gogova, Q.-T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Anisotropy, phonon modes, and free charge carrier parameters in monoclinic β-gallium oxide single crystals," Phys. Rev. B vol. 93, pp. 125209 (2016).
F. Ricci, F. Boschi, A. Barldi, A. Filippetti, M. Higashiwaki, A. Kuramata, V. Fiorentini, and R. Fornari, "Theoretical and experimental investigation of optical absorption anisotropy in β-Ga₂O₃," J. Phys.: Condens. Matter vol. 28, pp. 224005 (2016).
T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, K. Goto, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, and M. Higashiwaki, "Temperature-dependent exciton resonance energies and their correlation with IR-active optical phonon modes in β-Ga₂O₃ single crystals," Appl. Phys. Lett. vol. 108, pp. 101904 (2016).
K. Konishi, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Large conduction band offset at SiO₂/β-Ga₂O₃ heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy," Physica Status Solidi B vol. 253, no. 4, pp. 623-625 (2016).
M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Field-plated Ga₂O₃ MOSFETs with a breakdown voltage of over 750 V," IEEE Electron Device Lett. vol. 37, no. 2, pp. 212-215 (2016).
M. Higashiwaki, K. Sasaki, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Recent progress in Ga₂O₃ power devices," Semicond. Sci. Technol. vol. 31, pp. 034001 (2016): [Invited review].

2015

T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, "Valence band ordering in β-Ga₂O₃ studied by polarized transmittance and reflectance spectroscopy," Jpn, J. Appl. Phys. vol. 54, pp. 112601 (2015).
Z. Guo, A. Verma, X. Wu, F. Sun, A. Hickman, T. Masui, A. Kuramata, M. Higashiwaki, D. Jena, and T. Luo, "Anisotropic thermal conductivity in single crystal β-gallium oxide," Appl. Phys. Lett. vol. 106, pp. 111909 (2015).
M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Anomalous Fe diffusion in Si-ion-implanted β-Ga₂O₃ and its suppression in Ga₂O₃ transistor structures through highly resistive buffer layers," Appl. Phys. Lett. vol. 106, pp. 032105 (2015).
H. Murakami, K. Nomura, K. Goto, K. Sasaki, K. Kawara, Q. T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and A. Koukitu, "Homoepitaxial growth of β-Ga₂O₃ layers by halide vapor phase epitaxy," Appl. Phys. Exp. vol. 8, pp. 015503 (2015).

2014

H. Okumura, M. Kita, K. Sasaki, A. Kuramata, M. Higashiwaki, and J. S. Speck, "Systematic investigation of the growth rate of β-Ga₂O₃ (010) by plasma-assisted molecular beam epitaxy," Appl. Phys. Exp. vol. 7, pp. 095501 (2014).
T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, Y. Itoh, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, and T. Honda, "Polarized Raman spectra in β-Ga₂O₃ single crystals," J. Cryst. Growth, vol. 401, pp. 330-333 (2014).
T. Kamimura, K. Sasaki, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Band alignment and electrical properties of Al₂O₃/β-Ga₂O₃ heterojunctions," Appl. Phys. Lett. vol. 104, pp. 192104 (2014).
K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Growth temperature dependences of structural and electrical properties of Ga₂O₃ epitaxial films grown on β-Ga₂O₃ (010) substrates by molecular beam epitaxy," J. Cryst. Growth vol. 392, pp. 30-33 (2014).
M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Development of gallium oxide power devices," Phys. Status Solidi A vol. 211, no. 1, pp. 21-26 (2014): [Invited article].

2013

M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Depletion-mode Ga₂O₃ metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga₂O₃ (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics," Appl. Phys. Lett. vol. 103, pp. 123511 (2013).
K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "MBE grown Ga₂O₃ and its power device applications," J. Cryst. Growth vol. 378, pp. 591-595 (2013).
T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, and T. Honda, "Correlation between blue luminescence intensity and resistivity in β–Ga₂O₃ single crystals," Appl. Phys. Lett. vol. 103, pp. 041910 (2013).
K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Si-ion implantation doping in β-Ga₂O₃ and its application to fabrication of low-resistance ohmic contacts," Appl. Phys. Exp. vol. 6, pp. 086502 (2013).
K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Ga₂O₃ Schottky barrier diodes fabricated by using single-crystal β–Ga₂O₃ (010) substrates," IEEE Electron Device Lett. vol. 34, no. 4, pp. 493-495 (2013).

2012

M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide (Ga₂O₃) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β–Ga₂O₃ (010) substrates," Appl. Phys. Lett. vol. 100, pp. 013504 (2012).

III族酸化物/窒化物複合構造の形成とそのデバイス応用

2015

T. Onuma, Y. Sugiura, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, "Impacts of AlO_x formation on emission properties of AlN/GaN heterostructures," Appl. Phys. Exp. vol. 8, pp. 052401 (2015).

2014

Y. Sugiura, T. Honda, and M. Higashiwaki, "Growth of crystallized AlO_x on AlN/GaN heterostructures by in-situ RF-MBE," J. Cryst. Growth, vol. 405, pp. 64-67 (2014).

ミリ波帯GaNトランジスタおよび物性に関する研究

2011

R. Santhakumar, B. Thibeault, M. Higashiwaki, S. Keller, Z. Chen, U. K. Mishra, and R. York, "Two-stage, high-gain, high-power distributed amplifier using dual-gate GaN HEMTs," IEEE Trans. Microw. Theory Tech. vol. 59, no. 8, pp. 2059-2063 (2011).
M. Higashiwaki, Y. Pei, R. Chu, and U. K. Mishra, "Effects of barrier thinning on small-signal and 30-GHz power characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors," IEEE Trans. Electron Devices vol. 58, no. 6, pp. 1681-1686 (2011).

2010

L. Gordon, M.-S. Miao, S. Chowdhury, M. Higashiwaki, U. K. Mishra, and C. G. Van de Walle, "Distributed surface donor states and the two-dimensional electron gas at AlGaN/GaN heterojunctions," J. Phys. D: Appl. Phys. vol. 43, pp. 505501 (2010).
M. Higashiwaki, S. Chowdhury, B. L. Swenson, and U. K. Mishra, "Effects of oxidation on surface chemical states and barrier height of AlGaN/GaN heterostructures," Appl. Phys. Lett. vol. 97, pp. 222104 (2010).
M. Higashiwaki, S. Chowdhury, M.-S. Miao, B. L. Swenson, C. G. Van de Walle, and U. K. Mishra, "Distribution of donor states on etched surface of AlGaN/GaN heterostructures," J. Appl. Phys. vol. 108, pp. 063719 (2010).

2009

T. Fujiwara, S. Keller, M. Higashiwaki, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, "Si delta-doped m-plane AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors," Appl. Phys. Exp. vol. 2, pp. 061003(2009).
Y. Pei, S. Rajan, M. Higashiwaki, Z. Chen, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, "Effect of dielectric thickness on power performance of AlGaN/GaN HEMTs," IEEE Electron Device Lett. vol. 30, no. 4, pp. 313-315 (2009).
M. Higashiwaki, Z. Chen, R. Chu, Y. Pei, S. Keller, U. K. Mishra, N. Hirose, T. Matsui, and T. Mimura, "A comparative study of effects of SiN_x deposition method on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors," Appl. Phys. Lett. vol. 94, pp. 053513 (2009).
T. Fujiwara, S. Rajan, S. Keller, M. Higashiwaki, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, "Enhancement-mode m-plane AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors," Appl. Phys. Exp. vol. 2, pp. 011001 (2009).

2008

M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui, "Development of high-frequency GaN HFETs for millimeter-wave applications," IEICE Trans. Electron. vol. E91-C, no. 7, pp. 984-988 (2008).
M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui, "AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors on 4H-SiC substrates with current-gain cutoff frequency of 190 GHz," Appl. Phys. Exp. vol. 1, pp. 021103 (2008).
M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui, "GaN-based FETs using Cat-CVD SiN passivation for millimeter-wave applications," Thin Solid Films (a) vol. 516, pp. 548-552 (2008).

2007

N. Onojima, M. Higashiwaki, T. Matsui, T. Mimura, J. Suda, and T. Kimoto, "XPS study of surface potential in AlGaN/GaN heterostructure with Cat-CVD SiN passivation," phys. stat. sol. (c) vol. 4, no. 7, pp. 2354-2357 (2007).
M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui, "Development of millimeter-wave GaN HFET technology," phys. stat. sol. (a) vol. 204, no. 6, pp. 2042-2048 (2007).
M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui, "Enhancement-mode AlN/GaN HFETs using Cat-CVD SiN," IEEE Trans. Electron Devices vol. 54, no. 6, pp. 1566-1570 (2007).
N. Onojima, M. Higashiwaki, J. Suda, T. Kimoto, T. Mimura, and T. Matsui, "Reduction in potential barrier height of AlGaN/GaN heterostructures by SiN passivation," J. Appl. Phys. vol. 101, pp. 043703 (2007).

2006

M. Higashiwaki, T. Mimura and T. Matsui, "30-nm-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with a current-gain cutoff frequency of 181 GHz," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 45, no. 42, L1111-L1113 (2006).
M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui, "AlN/GaN insulated-gate HFETs using Cat-CVD SiN," IEEE Electron Device Lett. vol. 27, no. 9, pp. 719-721 (2006).
M. Higashiwaki, N. Onojima, T. Matsui, and T. Mimura, "Effects of SiN passivation by catalytic chemical vapor deposition on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors," J. Appl. Phys. vol. 100, pp. 033714 (2006).
M. Higashiwaki, N. Onojima, T. Matsui and T. Mimura, "High f_T and f_max AlGaN/GaN HFETs achieved by using thin and high-Al-composition AlGaN barrier layers and Cat-CVD SiN passivation," phys. stat. sol. (a) vol. 203, no. 7, pp. 1851-1855 (2006).
M. Higashiwaki, T. Matsui, and T. Mimura, "AlGaN/GaN MIS-HFETs with f_T of 163 GHz using Cat-CVD SiN gate-insulating and passivation layers," IEEE Electron Device Lett. vol. 27, no. 1, pp. 16-18 (2006).

2005

Y. Yamashita, A. Endoh, K. Ikeda, K. Hikosaka, T. Mimura, M. Higashiwaki, T. Matsui, and S. Hiyamizu, "120-nm-T-shaped-Mo/Pt/Au-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors," J. Vac. Sci. Tech. B vol. 23, no. 5, pp. L13-L15 (2005).
Y. Yamashita, A. Endoh, K. Ikeda, K. Hikosaka, T. Mimura, M. Higashiwaki, T. Matsui, and S. Hiyamizu, "Effect of thermal annealing on 120-nm-T-shaped-Ti/Pt/Au-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors," J. Vac. Sci. Technol. B vol. 23, no. 3, pp. 895-899 (2005).
M. Higashiwaki and T. Matsui, "MBE growth and device characteristics of InAlN/GaN HFETs," phys. stat. sol. (c) vol. 2, no. 7, pp. 2598-2601 (2005).
M. Higashiwaki and T. Matsui, "AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with current gain cut-off frequency of 152 GHz on sapphire substrates," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 44, no. 16, pp. L475-L478 (2005).
M. Higashiwaki, N. Hirose, and T. Matsui, "Cat-CVD SiN-passivated AlGaN-GaN HFETs with thin and high Al composition barrier layers," IEEE Electron Device Lett. vol. 26, no. 3, pp. 139-141 (2005).

2004

M. Higashiwaki and T. Matsui, "Barrier thickness dependence of electrical properties and DC device characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 43, no. 9A/B, pp. L1147-L1149 (2004).
M. Higashiwaki and T. Matsui, "InAlN/GaN heterostructure field-effect transistors grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 43, no. 6B, pp. L768-L770 (2004).
A. Endoh, Y. Yamashita, K. Ikeda, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, "Non-recessed-gate enhancement-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistors with high RF performance," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 43, no. 4B, pp. 2255-2258 (2004).

2003

A. Endoh, Y. Yamashita, K. Ikeda, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, "Fabrication of sub-50-nm-gate i-AlGaN/GaN HEMTs on sapphire," phys. stat. sol. (c) vol. 0, no. 7, pp. 2368-2371 (2003).

InN MBE成長および物性に関する研究

2006

T. Inushima, N. Kato, D. K. Maude, H. Lu, W. J. Schaff, R. Tauk, Y. Meziani, S. Ruffenack, O. Briot, W. Knap, B. Gil, H. Miwa, A. Yamamoto, D. Muto, Y. Nanishi, M. Higashiwaki, and T. Matsui, "Superconductivity of InN with a well defined Fermi surface," phys. stat. sol. (b) vol. 243, no. 7, pp. 1679-1686 (2006).
T. Inushima, N. Kato, T. Takenobu, M. Motokawa, M. Higashiwaki, and T. Matsui, "Superconductivity of InN observed in the magnetoresistance at low temperature," J. Phys. vol. 51, no. 1, pp. 279-282 (2006).

2005

T. Inushima, M. Higashiwaki, T. Matsui, T. Takenobu, and M. Motokawa, "Electron density dependence of the electronic structure of InN epitaxial layers grown on sapphire (0001)," Phys. Rev. B vol. 72, pp. 085210-1-085210-10 (2005).
A. Uedono, S. F. Chichibu, M. Higashiwaki, T. Matsui, T. Ohdaira, and R. Suzuki, "Vacancy-type defects in Si-doped InN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy probed using monoenergetic positron beams," J. Appl. Phys. vol. 97, pp. 043514-1-043514-5 (2005).

2004

M. Higashiwaki and T. Matsui, "Estimation of band-gap energy of intrinsic InN from photoluminescence properties of undoped and Si-doped InN films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy," J. Cryst. Growth vol. 269, pp. 162-166 (2004).

2003

T. Inushima, M. Higashiwaki, and T. Matsui, "Optical properties of Si-doped InN grown on sapphire (0001)," Phys. Rev. B vol. 68, pp. 235204-1-235204-7 (2003).
M. Higashiwaki, T. Inushima, and T. Matsui, "Control of electron density in InN by Si doping and optical properties of Si-doped InN," phys. stat. sol. (b) vol. 240, no. 2, pp. 417-420 (2003).
T. Inushima, M. Higashiwaki, T. Matsui, T. Takenobu, and M. Motokawa, "Electronic structure of InN observed by Shubnikov-de Haas measurements," phys. stat. sol. (c) vol. 0, no. 7, pp. 2822-2825 (2003).
M. Higashiwaki and T. Matsui, "Epitaxial growth of high-quality InN films on sapphire substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy," J. Cryst. Growth vol. 252, pp. 128-135 (2003).
M. Higashiwaki and T. Matsui, "Plasma-assisted MBE growth of InN films and InAlN/InN heterostructures," J. Cryst. Growth vol. 251, pp. 494-498 (2003).

2002

M. Higashiwaki and T. Matsui, "Effect of low-temperature-grown GaN intermediate layer on InN growth by plasma-assisted MBE," phys. stat. sol. (c) vol. 0, no. 1, pp. 360-363 (2002).
M. Higashiwaki and T. Matsui, "High-quality InN film grown on a low-temperature-grown GaN intermediate layer by plasma-assisted molecular-beam epitaxy," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 41, no. 5B, pp. L540-L542 (2002).

ミリ波、サブミリ波帯InP系トランジスタに関する研究

2002

A. Endoh, Y. Yamashita, K. Shinohara, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Mimura, S. Hiyamizu, and T. Matsui, "Fabrication technology and device performance of sub-50-nm-gate InP-based high electron mobility transistors," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 41, no. 2B, pp. 1094-1098 (2002).

2001

A. Endoh, Y. Yamashita, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Mimura, S. Hiyamizu, and T. Matsui, "High RF performance of 50-nm-gate lattice-matched InAlAs/InGaAs HEMTs," IEICE Transactions on Electronics vol. E84-C, no. 10, pp. 1328-1334 (2001).
Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Mimura, S. Hiyamizu, and T. Matsui, "Ultra-short 25-nm-gate lattice-matched InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors within the range of 400 GHz cutoff frequency," IEEE Electron Device Lett. vol. 22, no. 8, pp. 367-369 (2001).

2000

Y. Yamashita, A. Endoh, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Mimura, S. Hiyamizu, and T. Matsui, "High f_T 50-nm-gate InAlAs/InGaAs HEMTs lattice-matched to InP substrates," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 39, no. 8B, pp. L838-L840 (2000).
M. Higashiwaki, T. Kitada, T. Aoki, S. Shimomura, Y. Yamashita, A. Endoh, K. Hikosaka, T. Mimura, T. Matsui, and S. Hiyamizu, "DC and RF performance of 50 nm gate pseudomorphic In_0.7Ga_0.3As/In_0.52Al_0.48As high electron mobility transistors grown on (411)A-oriented InP substrates by molecular-beam epitaxy," Jpn. J. Appl. Phys vol. 39, no. 7B, pp. L720-L722 (2000).

自然形成型高密度GaAs量子細線に関する研究

2000

Y. Ohno, M. Higashiwaki, S. Shimomura, S. Hiyamizu, and S. Ikawa, "Laser operation at room temperature of self-organized In_0.1Ga_0.9As/(GaAs)₆(AlAs)₁ quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy," J. Vac. Sci. Technol. B vol. 18, no. 3, pp. 1672-1674 (2000).

1999

M. Higashiwaki, S. Ikawa, S. Shimomura, and S. Hiyamizu, "GaAs/(GaAs)₄(AlAs)₂ quantum wire lasers grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy," J. Cryst. Growth vol. 201/202, pp. 886-890 (1999).
S. Hiyamizu, Y. Ohno, M. Higashiwaki, and S. Shimomura, "In_0.15Ga_0.85As/GaAs quantum wire structures grown on (553)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy," J. Cryst. Growth vol. 201/202, pp. 824-827 (1999).
M. Higashiwaki, S. Shimomura, S. Hiyamizu, and S. Ikawa, "Self-organized GaAs quantum-wire lasers grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy," Appl. Phys. Lett. vol. 74, no. 6, pp. 780-782 (1999).

1998

M. Higashiwaki, K. Kuroyanagi, K. Fujita, N. Egami, S. Shimomura, and S. Hiyamizu, "Temperature dependence of exciton lifetimes in high-density GaAs/(GaAs)₄(AlAs)₂ quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy," Solid-State Electron. vol. 42, no. 7-8, pp. 1581-1585 (1998).
S. Hiyamizu, M. Higashiwaki, M. Yamamoto, and S. Shimomura, "High-density In_0.14Ga_0.86As/(GaAs)₅(AlAs)₅ quantum wires naturally formed on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy," Microelectronic Engineering vol. 43-44, pp. 335-340 (1998).
M. Higashiwaki, S. Shimomura, and S. Hiyamizu, "Temperature dependence of photoluminescence from high-density GaAs/(GaAs)₄(AlAs)₂ quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy," Physica E vol. 2, pp. 959-963 (1998).

1997

M. Higashiwaki, M. Yamamoto, S. Shimomura, and S. Hiyamizu, "Highly uniform and high-density GaAs/(GaAs)₄(AlAs)₂ quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy," Appl. Phys. Lett. vol. 71, no. 14, pp. 2005-2007 (1997).
M. Higashiwaki, M. Yamamoto, S. Shimomura, A. Adachi, and S. Hiyamizu, "High-density GaAs/(GaAs)₂(AlAs)₂ quantum wires naturally formed on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy," J. Cryst. Growth vol. 174, pp. 814-818 (1997).
M. Yamamoto, M. Higashiwaki, S. Shimomura, N. Sano, and S. Hiyamizu, "Surface corrugation of GaAs layers grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 36, no. 10, pp. 6285-6289 (1997).

1996

M. Higashiwaki, M. Yamamoto, T. Higuchi, S. Shimomura, A. Adachi, Y. Okamoto, N, Sano, and S. Hiyamizu, "High-density GaAs/AlAs quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 35, no. 5B, pp. L606-L608 (1996).

その他

A. Mannan, K. Yamahara, F. R. G. Bagsican, K. Serita, H. Murakami, I. Kawayama, M. Higashiwaki, and M. Tonouchi, "Terahertz emission spectroscopy of GaN-based heterostructures," J. Appl. Phys. vol. 129, pp. 245702 (2021).
T. Yamamura, D. Nakamura, M. Higashiwaki, T. Matsui, and A. Sandhu, "High sensitivity and quantitative magnetic field measurements at 600^oC," J. Appl. Phys. vol. 99, pp. 08B302 (2006).
D. Marx, H. Asahi, X. F. Liu, M. Higashiwaki, A. B. Villaflor, K. Miki, K. Yamamoto, S. Gonda, S. Shimomura, and S. Hiyamizu, "Low temperature etching of GaAs substrates and improved morphology of GaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy using trisdimethylaminoarsenic and triethylgallium," J. Cryst. Growth vol. 150, pp. 551-556 (1995).

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国際会議招待講演

2024

M. Higashiwaki, "Gallium oxide electronics – Power, harsh environment, and something new –," 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2024), Himeji, Hyogo, Japan, Sep. 1-4, 2024: [Plenary].
M. Higashiwaki, Z. Wang, S. Sato, K. Eguchi, K. Nakaoka, S. Taniguchi, T. Kamimura, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Vertical Ga₂O₃ (010) FinFETs with (100) sidewalls treated by nitrogen radical irradiation," 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024), Sendai, Miyagi, Japan, Aug. 26-29, 2024.
M. Higashiwaki, "Progress in Ga₂O₃ material and device technologies towards next-generation power and harsh-environment electronics," 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-5), Berlin, Germany, May 26-31, 2024: [Keynote].
Y. Kumagai, H. Murakami, K. Sasaki, A. Kuramata, and M. Higashiwaki, "Vapor-phase epitaxial growth of gallium oxide using Ga halides as source gases," 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-5), Berlin, Germany, May 26-31, 2024.
M. Higashiwaki, Z. Wang, S. Kumar, S. Sato, K. Eguchi, K. Nakaoka, S. Taniguchi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Development of vertical Ga₂O₃ power devices and their processing technologies," 8th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (IEEE EDTM 2024), Bangalore, India, Mar. 3-6, 2024.
M. Higashiwaki, Z. Wang, S. Kumar, T. Kamimura, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Vertical Ga₂O₃ (010) FinFETs," 59th Annual Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices (WOCSEMMAD 2024), Las Vegas, NV, USA, Feb. 20-23, 2024.

2023

M. Higashiwaki, "Advances and prospects of gallium oxide material and device technologies," 51st International School & Conference on the Physics of Semiconductors (Jaszowiec 2023), Szczyrk, Poland, June 17-23, 2023.
M. Higashiwaki, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Ion implantation doping technology for Ga₂O₃ and its application to device fabrication," The 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT2023), Kyoto, Japan, June 8-9, 2023.
M. Higashiwaki, "Current status of gallium oxide material and device technologies," 35th International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS 2023), Tokyo, Japan, Mar. 27-30, 2023: [Tutorial].
M. Higashiwaki, Z. Wang, K. Eguchi, S. Sato, S. Taniguchi, K. Nakaoka, and T. Kitada, "Effects of nitridation on electrical properties of Ga₂O₃ surface," 58th Annual Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices (WOCSEMMAD 2023), San Antonio, TX, USA, Feb. 19-22, 2023.

2022

M. Higashiwaki, T. Kamimura, S. Kumar, Z. Wang, T. Kitada, J. Liang, N. Shigekawa, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Ga₂O₃ device physics and engineering for power electronics and new directions," 15th Asia Pacific Physics Conference (APPC15), Online (Zoom), Aug. 21-26, 2022.
M. Higashiwaki, T. Kamimura, S. Kumar, Z. Wang, T. Kitada, J. Liang, N. Shigekawa, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Ga₂O₃ device technologies: Power switching and high-frequency applications, and beyond," 5th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2022), Arlington, VA, USA, Aug. 7-10, 2022: [Keynote].
M. Higashiwaki, "Gallium oxide: Traditional but emerging semiconductor," International Conference on the Physics and Semiconductors 2022 (ICPS 2022), Sydney, Australia, June 27-30, 2022: [Plenary].
M. Higashiwaki, Z. Wang, T. Kitada, N. Hatta, K. Yagi, J. Liang, and N. Shigekawa, "Development of surface-activated bonding technologies to compensate for shortcomings of Ga₂O₃ devices," 2022 MRS Spring Meeting and Exhibit, Honolulu, Hawaii, USA / Zoom (on-site/online hybrid event), May 8-13 (onsite), 23-25 (online), 2022.
M. Higashiwaki, "Ga₂O₃ for Power Electronics," IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2022), Vancouver, Canada / Zoom (on-site/online hybrid event), May 22-25, 2022: [Short course].
M. Higashiwaki, "Gallium oxide power device technologies," 2022 International Power Electronics Conference (IPEC 2022), Himeji, Hyogo, Japan, May 15-19, 2022.

2021

M. Higashiwaki, T. Kamimura, and S. Kumar, "High-frequency Ga₂O₃ FETs and interface related challenges in their development," 52nd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (IEEE SISC 2021), San Diego, CA, USA / Zoom (on-site/online hybrid event), Dec. 8-11, 2021.
M. Higashiwaki and T. Kamimura, "High-frequency Ga₂O₃ field-effect transistor technology for wireless communications," International Union of Materials Research Societies - International Conference in Asia 2021 (IUMRS-ICA 2021), Jeju, Korea/Zoom (on-site/online hybrid event), Oct. 3-9, 2021.
M. Higashiwaki and T. Kamimura, " Development of high-frequency β-Ga₂O₃ field-effect transistors aiming for applications to harsh-environment electronics," AAAFM-UCLA International Conference on Advances in Functional Materials (AAAFM-UCLA 2021), Online (Zoom), Aug. 18-20, 2021.
M. Higashiwaki and T. Kamimura, "Current status of lateral and vertical Ga₂O₃ FET technologies," 22nd Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2021), Online (Teams), June 28-July 2, 2021.
M. Higashiwaki, "Gallium oxide FETs for power switching and RF applications," 44th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE 2021), Online (Zoom), June 14-17, 2021: [Plenary, Hartnagel Lecture].
M. Higashiwaki, "Gallium Oxide: The Star of Hope for Compound Semiconductors?," Compound Semiconductor Week 2021 (CSW 2021), Online (Zoom), May 9-13, 2021: [Keynote].
M. Higashiwaki and T. Kamimura, "Progress in lateral Ga₂O₃ field-effect transistor technology for high-frequency wireless communications," 2021 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2021), Chengdu, China (on-site) / Online hybrid, Apr. 8-11, 2021.
M. Higashiwaki and T. Kamimura, "Progress in lateral Ga₂O₃ field-effect transistor technology for high-frequency wireless communications," SPIE Photonics West 2021, Online, March 6-11, 2021.
Y. Kumagai, K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Thermodynamic and experimental study of β-Ga₂O₃ growth by halide vapor phase epitaxy for fabrication of epitaxial wafers for power device applications," International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021), Online (Zoom), Jan. 19-21, 2021.

2020

Y. Kumagai, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Halide vapor phase epitaxy of group-III sesquioxides," 2020 MRS Spring and Fall Joint Meeting & Exhibit, Online (Zoom), Nov. 28-Dec. 4, 2020.
M. Higashiwaki and T. Kaminura, "Development of highly scaled Ga₂O₃ field-effect transistors," 5th International Conference on Emerging Electronics (ICEE 2020), Online (WebEx), Nov. 26-28, 2020.
M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Fundamentals and process technologies of current aperture vertical Ga₂O₃ MOSFETs," 237th ECS Meeting, Montreal, Canada, May 10-14, 2020：（コロナウィルス禍のため会議は中止．アブストラクトはオンラインで出版され、発表としては成立）.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Vertical gallium oxide transistors with current aperture formed using nitrogen-ion implantation process," 2020 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2020), Penang, Malaysia, March 15-18, 2020：（コロナウィルスのためバーチャル会議に変更）.
M. Higashiwaki, C.-H. Lin, and Y. Nakata, "Effects of high-temperature annealing and nitrogen-ion implantation doping on electrical properties of n-Ga₂O₃ layers," 56th Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD 2020), Palm Springs, CA, USA, Feb. 16-19, 2020.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Recent progress in gallium oxide power transistor technologies," 3rd Symposium for The Core Research Clusters for Materials Science and Spintoronics, Sendai, Miyagi, Japan, Feb. 10-11, 2020.
M. Higashiwaki, T. Kamimura, and Y. Nakata, "Elemental device technologies developed for lateral Ga₂O₃ metal-oxide-semiconductor field-effect transistors," SPIE Photonics West 2020, San Francisco, CA, USA, Feb. 1-6, 2020.
M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Vertical Ga₂O₃ transistors based on ion implantation doping technology," SPIE Photonics West 2020, San Francisco, CA, USA, Feb. 1-6, 2020.
K. Goto, N. Takekawa, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai, "Current status of halide vapor phase epitaxy of Ga₂O₃ and related sesquioxides," SPIE Photonics West 2020, San Francisco, CA, USA, Feb. 1-6, 2020.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Nitrogen doping of gallium oxide by ion implantation and its application to vertical transistors," 47th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-47), Boulder, CO, USA, Jan. 19-23, 2020.

2019

M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Vertical Ga₂O₃ MOSFETs fabricated by ion implantation process," 2019 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS 2019), Kohala Coast, HI, USA, Dec. 1-6, 2019.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Process and characterization of vertical Ga₂O₃ Transistors," 17th International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IEEE IMFEDK 2019), Kyoto, Kyoto, Japan, Nov. 14-15, 2019.
M. Schubert, A. Mock, S. Knight, M. Hilfiker, M. Stokey, V. Darakchieva, A. Papamichail, R. Korlacki, M.J. Tadjer, Z. Galazka, G. Wagner, N. Blumenschein, A. Kuramata, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, A. Mauze, Y. Zhang, and J. S. Speck,"Phonons, free charge carriers, excitons and band-to-band transitions in beta Ga₂O₃ and related alloys determined by ellipsometry and optical Hall effect," 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), Onna, Okinawa, Nov. 10-14, 2019.
Y. Kumagai, K. Goto, K. Konishi, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and M. Higashiwaki, "Homoepitaxial growth of β-Ga₂O₃ by halide vapor phase epitaxy for the preparation of epitaxial wafers for vertical power device application," 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), Onna, Okinawa, Nov. 10-14, 2019.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Development of vertical Ga₂O₃ power transistors," 5th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2019), Jeju, Korea, Nov. 5-8, 2019.
A. Mock, S. Knight, M. Hilfiker, V. Darakchieva, A. Papamichail, R. Korlacki, M. J. Tadjer, Z. Galazka, G. Wagner, N. Blumenschein, A. Kuramata, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, A. Mauze, Y. Zhang, J. S. Speck, and M. Schubert, "The physics of low symmetry metal oxides: Applications of ellipsometry,'' AVS 66th International Symposium & Exhibition (AVS 2019), Columbus, OH, USA, Oct. 20-25, 2019.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Nitrogen-ion implantation doping of Ga₂O₃ and its application to transistors," 236th ECS Meeting, Atlanta, GA, USA, Oct. 13-17, 2019: [Keynote].
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Vertical β-Ga₂O₃ transistors for power switching applications," 11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-11), Nara, Japan, Oct. 7-9, 2019.
Y. Kumagai, K. Konishi, K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and M. Higashiwaki, "Growth of gallium oxide by HVPE," 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3), Columbus, OH, USA, Aug. 13-15, 2019.
M. Higashiwaki, "Evolution of Ga₂O₃ Power Devices: Past, Present, and Future," 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3), Columbus, OH, USA, Aug. 13-15, 2019: [Keynote].
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Vertical Ga₂O₃ transistors fabricated by ion implantation doping," 235th ECS Meeting, Dallas, TX, USA, May 26-30, 2019.
M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "β-Ga₂O₃ MOSFETs with nitrogen-ion-implanted back-barrier: DC performance and trapping effects," Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Nara, Japan, May 19-23, 2019.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, T. Kamimura, Y. Nakata, C.-H. Lin, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Recent progress in vertical Ga₂O₃ transistors," SPIE Photonics West 2019, San Francisco, CA, USA, Feb. 2-7, 2019.
M. Schubert, A. Mock, R. Korlacki, S. Knight, V. Darakchieva, S. Galazka, G. Wagner, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Goto, M. Higashiwaki, and J. Speck, "Phonon-plasmon coupling in monoclinic symmetry Ga₂O₃," SPIE Photonics West 2019, San Francisco, CA, USA, Feb. 2-7, 2019.

2018

M. Higashiwaki, M. H. Wong, T. Kamimura, Y. Nakata, C.-H. Lin, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, Manikant, J. W. Pomeroy, M. J. Uren, M. A. Casbon, P. J. Tasker, K. Goto, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Kuball, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Advances in Ga₂O₃ MOSFETs for power switching and beyond," 2018 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, Nov. 25-30, 2018.
Y. Kumagai, K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Preparation of β-Ga₂O₃ epitaxial wafers by HVPE method," The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology, Suita, Osaka, Japan, Oct. 21-24, 2018.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, K. Goto, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Ga₂O₃ field-effect transistor technologies: Recent advances and future perspectives," 4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium: Advanced Oxides and Wide Bandgap Semiconductors, Crete, Greece, Oct. 14-19, 2018.
M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, K. Sasaki, Y. Morikawa, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Ga₂O₃ power transistors: The promise, the reality, and future directions," E-MRS 2018 Fall Meeting, Warsaw, Poland, Sep. 17-20, 2018.
H. Murakami, K. Konishi, K. Goto, Q.-T. Thieu, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, Y. Kumagai, "Progress in halide vapor phase epitaxy of Ga₂O₃," E-MRS 2018 Fall Meeting, Warsaw, Poland, Sep. 17-20, 2018.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, C.-H. Lin, N. Hatta, K. Yagi, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Konishi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Recent progress in Ga₂O₃ MOSFETs," 3rd US Workshop on Gallium Oxide (GOX 2018), Columbus, OH, USA, Aug. 15-16, 2018.
T. Kamimura, Y. Nakata, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Characterization of nitrogen-doped β-Ga₂O₃ (010) thin films grown by ozone MBE," Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2018, Incheon/Seoul, Korea, June 25-29, 2018.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, T. Kamimura, Y. Nakata, C.-H. Lin, R. Lingaparthi, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, N. Hatta, K. Yagi, K. Goto, K. Sasaki, S. Watanabe, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Konishi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Recent advances in Ga₂O₃ MOSFET technologies," 76th Device Research Conference (DRC 2018), Santa Barbara, CA, USA, June 24-27, 2018.
M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, K. Sasaki, Y. Morikawa, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Toward realization of Ga₂O₃ transistors for power electronics applications," 14th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC 2018), Perugia, Italy, June 4-14, 2018.
M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, K. Sasaki, Y. Morikawa, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Reflections on the state of ultra-wide-bandgap Ga₂O₃ MOSFETs," 20th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM 2018), Berlin, Germany, June 10-14, 2018.
Y. Kumagai, K. Konishi, H. Murakami, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and M. Higashiwaki, "Development of halide vapor phase epitaxy of Ga₂O₃ for power device applications," Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018), Cambridge, MA, USA, May 29-June 1, 2018.
M. Higashiwaki, "Introduction of gallium oxide technologies," Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018), Cambridge, MA, USA, May 29-June 1, 2018.
M. Higashiwaki, "Gallium oxide electronics: beyond SiC and GaN," 233rd ECS Meeting, Seattle, WA, USA, May 13-17, 2018: [Keynote].
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, C.-H. Lin, N. Hatta, K. Yagi, K. Goto, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Developments of Ga₂O₃ electronic devices for next-generation power switching," 33rd annual International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS-MANTECH 2018), Austin, TX, USA, May 8-10, 2018.
K. Goto, Q. Thieu, D. Wakimoto, K. Sasaki, K. Konishi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, M. Higashiwaki, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Halide vapor phase epitaxy of Ga₂O₃," 45th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF-45), San Diego, CA, USA, Apr. 23-27, 2018.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, Y. Nakata, C.-H. Lin, T. Kamimura, L. Ravikiran, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Latest progress in gallium-oxide electronic devices," SPIE Photonics West 2018, San Francisco, CA, USA, Jan. 28-Feb. 1, 2018.
M. Schubert, A. Mock, R. Korlacki, S. Knight, V. Darakchieva, B. Monemar, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Goto, and M. Higashiwaki, "Growth of Ga₂O₃ and AlGaO epitaxial structures by MOCVD," SPIE Photonics West 2018, San Francisco, CA, USA, Jan. 28-Feb. 1, 2018.

2017

M. Higashiwaki, "Development of gallium oxide device technologies for power and radiation-hard electronics," 19th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2017), New Delhi, India, Dec. 11-15, 2017: [Plenary].
M. Higashiwaki, M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, N. Hatta, K. Yagi K. Goto, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Ultra-wide-bandgap Ga₂O₃ material and electronic device technologies," 2017 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS 2017), Kohala Coast, HI, USA, Nov. 26-Dec. 1, 2017.
M. H. Wong, K. Sasaki, Y. Nakata, C.-H. Lin, Y. Morikawa, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Unlocking the potential of Ga₂O₃ MOSFETs for power electronics," 4th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2017), Jeju, Korea, Nov. 21-24, 2017.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, Y. Nakata, T. Kamimura, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Ultra-wide-bandgap Ga₂O₃ material and electronic device technologies," AVS 64th International Symposium & Exhibition (AVS-64), Tampa, FL, USA, Oct. 29-Nov. 3, 2017.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, Y. Nakata, K. Sasaki, A. Takeyama, T. Makinoc, T. Ohshima, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Progress in Ga₂O₃ metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technologies," 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2017), Qingdao, China, Sep. 24-27, 2017.
K. Konishi, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and Y. Kumagai, "Halide vapor phase epitaxy of β-Ga₂O₃ homoepitaxial layers using O₂ and H₂O as oxygen sources," 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2), Parma, Italy, Sep. 13-15, 2017.
M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, Y. Morikawa, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Advances in Ga₂O₃ MOSFETs for power and radiation-hard electronics," 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2), Parma, Italy, Sep. 13-15, 2017.
M. Higashiwaki, Y. Nakata, M. H. Wong, K. Konishi, T. Kamimura, K. Goto, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Latest progress in gallium oxide epitaxial growth technologies for power devices," 21st American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-21)/18th US Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-18), Santa Fe, NM, USA, July 30-Aug. 4, 2017.
M. H. Wong, Y. Nakata, K. Sasaki, Y. Morikawa, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Design and engineering of Ga₂O₃ MOSFETs for next generation power switches," 10th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-10), Yokohama, Japan, Aug. 1-3, 2017.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide-based devices for power electronics and emerging applications," 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017), Shimane, Japan, July 31-Aug. 4, 2017.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Pursuing the promise of ultra-wide-bandgap Ga₂O₃ power device technology," 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), Strasbourg, France, July 24-28, 2017.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Application of gallium oxide for high-power electronics," 9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2017), Suntec, Singapore, June 18-23, 2017.
M. Higashiwaki, "Gallium oxide power device technologies: Current status and prospects," 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2017), Sapporo, Hokkaido, Japan, May 29 - June 1, 2017: [Short course].
T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, K. Goto, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, and M. Higashiwaki, "Optical properties of Ga₂O₃ films and crystals", Compund Semiconductor Week 2017 (CSW 2017), Berlin, Germany, May 14-18, 2017.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Application of gallium oxide for high-power electronics," 44th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF-44), San Diego, CA, USA, Apr. 24-28, 2017.
M. Higashiwaki, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Kuramata, "Position of Ga₂O₃ among UWBG semiconductors and beyond," 53rd Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD 2017), Tampa, FL, USA, Feb. 19-22, 2017: [Special session].
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Current state-of-the-art of gallium oxide power device technology," 44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44), Santa Fe, NM, USA, Jan. 15-19, 2017.

2016

M. Higashiwaki, "The rise of Ga₂O₃ for a new era of power electronics," 2nd AFRL Workshop on Beta-Ga₂O₃: Synthesis, Characterization and Applications, Arlington, VA, USA, Dec. 12-13, 2016.
M. H. Wong, K. Sasaki, Y. Morikawa, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Ultra-wide-bandgap Ga₂O₃ for next generation power MOSFETs," International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2016), Bethesda, MD, USA, Dec. 7-9, 2016.
Y. Nakata, M. H. Wong, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, "Molecular beam epitaxy growth of Ga₂O₃ thin films on β-Ga₂O₃ (001) substrates," 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, Nov. 28-Dec. 2, 2016.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Recent advances in Ga₂O₃ power device technologies," 6th International Symposium on Transparent Conductive Materials (TCM2016), Crete, Greece, Oct. 9-13, 2016:
（ギリシャ空港管制官ストライキ予定のため、講演はキャンセル）.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Status and potential of gallium oxide devices - A new candidate for future power semiconductor electronics -," 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2016), Halkidiki, Greece, Sep. 25-29, 2016.
M. H. Wong, K. Sasaki, Y. Morikawa, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Engineering Ga₂O₃ MOSFETs for high breakdown voltage and the importance of thermal analysis," E-MRS 2016 Fall Meeting, Warsaw, Poland, Sep. 19-22, 2016.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Progress in Ga₂O₃ transistor and diode technologies," German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016, Berlin, Germany, Sep. 7-9, 2016.
T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, K. Goto, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, and M. Higashiwaki, "Observation of exciton-LO-phonon interaction in β-Ga₂O₃ single crystals," German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016, Berlin, Germany, Sep. 7-9, 2016.
Y. Kumagai, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. H. Wong, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and M. Higashiwaki, "Thick and conductivity-controlled homoepitaxial growth of β-Ga₂O₃ layers by halide vapor phase epitaxy," German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016, Berlin, Germany, Sep. 7-9, 2016.
Y. Kumagai, K. Nomura, K. Goto, Q.-T. Thieu, R. Togashi, K. Sasaki, K. Konishi, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, A. Koukitu, and M. Higashiwaki, "Progress of homoepitaxial growth technique of thick β-Ga₂O₃ layers by halide vapor phase epitaxy," 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya, Aichi, Japan, Aug. 7-12, 2016.
M. H. Wong, K. Sasaki, Y. Morikawa, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Electrical and thermal properties of field-plated Ga₂O₃ MOSFETs with high breakdown voltage," 2016 Lester Eastman Conference on High Performance Devices (LEC 2016), Bethlehem, PA, USA, Aug. 2-4, 2016.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Recent advances in gallium oxide device technologies," 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2016), Hakodate, Hokkaido, Japan, July 4-6, 2016.
M. H. Wong, Y. Morikawa, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Measurement of channel temperature in Ga₂O₃ MOSFETs," 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016), Toyama, Japan, June 26-30, 2016.
M. Higashiwaki, "Current status and future prospects of gallium oxide technologies," 2016 Compound Semiconductor Week (CSW2016), Toyama, Japan, June 26-30, 2016: [Short course].
M. Higashiwaki, "Current status and future prospects of gallium oxide power device technologies," 74th Device Research Conference (DRC 2016), Newark, DE, USA, June 19-22, 2016: [Short course].
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide-based devices for power electronics and beyond," E-MRS 2016 Spring Meeting, Lille, France, May 2-6, 2016.
M. Higashiwaki, "Gallium oxide (Ga₂O₃) - The front running UWBG semiconductor? -," 2nd Technical Exchange on UWBG Semiconductors: Research Opportunities and Directions, Arlington, VA, USA, Apr. 25-26, 2016: [Plenary].
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Development of Mg-ion implantation technology for Ga₂O₃ vertical power device applications," 52nd Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD 2016), Tucson, AZ, USA, Feb. 1-4, 2016.

2015

M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, K. Konishi, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "The challenges of gallium oxide devices for future power electronics," 18th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2015), Bangalore, India, Dec. 7-9, 2015.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, K. Konishi, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide device technology for future power electronics," 16th RIES-Hokudai International Symposium, Sapporo, Hokkaido, Japan, Nov. 10-11, 2015.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Current status of gallium oxide-based power device technology," 37th IEEE Compound Semiconductor IC Symposium (IEEE CSICS 2015), New Orleans, LA, USA, Oct. 11-14, 2015.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Konishi, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide devices for the next revolution in power electronics," 22nd International Workshop on Oxide Electronics (WOE22), Paris, France, Oct. 7-9, 2015.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Challenge and outlook of gallium oxide power devices," International workshop on Advanced Materials and Devices II, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan, Sep. 4, 2015.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Progress in research and development on gallium oxide power devices," 42nd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2015), Santa Barbara, CA, USA, June 28-July 2, 2015.
T. Kamimura, K. Sasaki, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Band alignment of Au/Al₂O₃/Ga₂O₃ MOS structure determined by XPS and tunneling current analysis," EMN EAST Meeting Energy Materials Nanotechnology, Beijing China, Apr. 20-23, 2015.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, "Current status and prospects on R&D of gallium oxide power devices," 51st Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD 2015), Isle of Palms, SC, USA, Feb. 16-19, 2015: [Special session].
K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Homoepitaxial growth on single-crystal β-Ga₂O₃ substrates by molecular beam epitaxy," 39th International Conference and Exposition on Advanced Ceramics and Composites (ICACC 2015), Daytona Beach, FL, USA, Jan. 25-30, 2015.
M. Higashiwaki, T. Kamimura, K. Sasaki, M. H. Wong, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Band alignment of Al₂O₃/Ga₂O₃ heterostructures and their application to field-effect transistors," 42nd Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-42), Snowbird, UT, USA, Jan. 18-22, 2015.

2014

K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Ga₂O₃ homoepitaxial growth on single-crystal β-Ga₂O₃ substrates by molecular beam epitaxy," 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, Nov. 30-Dec. 5, 2014.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide (Ga₂O₃) devices for next generation applications," 2014 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC 2014), Sendai, Miyagi, Japan, Nov. 4-7, 2014: [Workshop].
M. Higashiwaki, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Sasaki, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Ga₂O₃ MOSFETs with an n-type channel layer fabricated by Si-ion implantation doping and an Al₂O₃ gate dielectric formed by ALD," The 23rd European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH 2014), Giessen, Germany, Oct. 12-15, 2014.
M. Higashiwaki, "Gallium oxide-based electronics: Present status and future prospects," 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), Tsukuba, Ibaraki, Japan, Sep. 8-11, 2014: [Short course].
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Sasaki, T. Kamimura, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Depletion-mode gallium oxide MOSFETs using Si-ion implantation," 38th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE2014), Delphi, Greece, June 15-18, 2014.
A. Kuramata, T. Masui, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, Y. Morishima, K. Iizuka, Y. Yamashita, S. Sato, K. Sasaki, M. Higashiwaki, and S. Yamakoshi, "Crystal growth of Ga₂O₃ for power device and LED applications," E-MRS 2014 Spring Meeting, Lille, France, May 27-29, 2014.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Depletion-mode gallium oxide MOSFETs," 41st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2014), Montpellier, France, May 11-15, 2014.
M. Higashiwaki, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Sasaki, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Electrical properties of gallium oxide (Ga₂O₃) MOSFETs," 50th Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD 2014), San Antonio, TX, USA, Feb. 16-19, 2014.

2013

M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Novel wide bandgap semiconductor Ga₂O₃ transistors," International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2013), Bethesda, MD, USA, Dec. 11-13, 2013.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, T. Kamimura, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Research and development on Ga₂O₃ transistors and diodes," The 1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA 2013), Columbus, OH, USA, Oct. 27-29, 2013.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, T. Kamimura, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Research and development on Ga₂O₃ power devices," 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), Hakata, Fukuoka, Japan, Sep. 24-27, 2013.
M. Higashiwaki, "Gallium oxide-based power devices," 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), Hakata, Fukuoka, Japan, Sep. 24-27, 2013: [Short course].
M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide (Ga₂O₃) transistors and diodes," 2013 JSAP-MRS Joint Symposia; Symposium E: Functional Oxide Thin Films and Heterostructures for Innovative Devices," Tanabe, Kyoto, Japan, Sep. 16-20, 2013.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Development of gallium oxide power devices," 2013 DPG (German Physical Society) Spring Meeting," Regensburg, Germany, Mar. 10-15, 2013.
M. Higashiwaki, D. Krishnamurthy, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Device process techniques for gallium oxide (Ga₂O₃) electrical devices," 49th Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD 2013), New Orleans, LA, USA, Feb. 17-20, 2013.

2012

M. Higashiwaki, "Present status and future prospects of AlGaN for nitride-based electrical devices", Intensive Discussion on Crystal Growth of Nitride Semiconductors", Sendai, Miyagi, Japan, Oct. 22-23, 2012.
M. Higashiwaki, "Potential applications of wide bandgap semiconducting oxides," Workshop on Novel Semiconducting Oxides, Berlin, Germany, Oct. 8, 2012.
M. Higashiwaki, S. Chowdhury, B. L. Swenson, U. K. Mishra, T. Igaki, T. Yamaguchi, and T. Honda, "Interface control of III-oxide/nitride composite structures," 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, Japan, Sep. 25-27, 2012.
K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "MBE grown Ga₂O₃ and its power device applications," 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2012), Nara, Japan, Sep. 23-28, 2012.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Single-crystal gallium oxide metal-semiconductor field-effect transistors," 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012), Santa Barbara, CA, USA, Aug. 27-30, 2012.
M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "New widegap semiconductor Ga₂O₃ MESFETs and Schottky barrier diodes," 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2012), Naha, Okinawa, Japan, June. 27-29, 2012.

2008

M. Higashiwaki, Z. Chen, S. Keller, N. Hirose, T. Mimura, T. Matsui, and U. K. Mishra, "GaN HFETs for millimeter-wave technologies," 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2008), Europa-Park, Rust, Germany, Sep. 21-25, 2008.
M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui, "Millimeter-wave GaN HFET technology," SPIE Photonic West, San Jose, California, USA, Jan. 19-24, 2008.

2007

M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui, "Development of high-frequency GaN HFETs for millimeter-wave applications," 7th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2007), Kisarazu, Chiba, Japan, Aug. 21-24, 2007.

2006

M. Higashiwaki, T. Mimura and T. Matsui, "Development of millimeter-wave GaN HFET technology," 2006 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2006), Kyoto, Japan, Oct. 22-27, 2006.
M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui, "GaN-based FETs using Cat-CVD SiN passivation for millimeter-wave applications," 4th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process (HWCVD-4), Takayama, Gifu, Japan, Oct. 4-8, 2006.

2005

M. Higashiwaki, T. Matsui, and T. Mimura, "High-frequency AlGaN/GaN HFETs grown by plasma-assisted MBE for millimeter-wave applications," International COE Workshop on Nano Processes and Devices, and Their Applications, Nagoya, Japan, Dec. 15-16, 2005.
T. Inushima, N. Kato, D. K. Maude, R. Tauk, Y. Meziani, O. Briot, W. Knap, B. Gil, H. Lu, W. J. Schaff, H. Miwa, A. Yamamoto, D. Muto, Y. Nanishi, M. Higashiwaki, and T. Matsui, "Superconductivity of InN with a well defined Fermi surface," 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6), Bremen, Germany, Aug. 28-Sep. 02, 2005; (Plenary).

2003

M. Higashiwaki and T. Matsui, "Plasma-assisted MBE growth of InN on low-temperature-grown InN/GaN buffer," no. 5-3, International Indium Nitride Workshop, Fremantle, Australia, Nov. 16-20, 2003.
A. Endoh, Y. Yamashita, K. Shinohara, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, "InP HEMTs: physics, applications, and future," 61st Device Research Conference (DRC2003), Salt Lake City, USA, June 23-25, 2003.

2001

A. Endoh, Y. Yamashita, K. Shinohara, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, and T. Mimura, "Fabrication technology and device performance of sub-50-nm-gate InP-based HEMTs," 2001 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM01), Nara, Japan, May 15-18, 2001.

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海外大学・企業・研究所　セミナー

2019

M. Higashiwaki, "Vertical Ga₂O₃ field-effect transistors and Schottky barrier diodes fabricated by using nitrogen-ion implantation doping," Seminar, Department of Electrical Engineering, Penn State University, State College, PA, USA, Oct. 17, 2019.
M. Higashiwaki, "Processing of vertical Ga₂O₃ field-effect transistors and Schottky barrier diodes by nitrogen-ion implantation doping,"Seminar, Deparments of Electrical and Computer Engineering and Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA, June 21, 2019.

2018

M. Higashiwaki, "Gallium oxide electronics: challenges and opportunities," Nakamura Lecture, Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA, USA, Feb. 9, 2018.

2017

M. Higashiwaki, "Gallium oxide device technologies for power electronics and beyond," ECE seminar, Ohio State University, Columbus, OH, USA, July 3, 2017.
M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, Y. Morikawa, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Ultra-wide-bandgap Ga₂O₃ MOSFETs – Electrical performance, thermal properties, radiation response, and the path forward," Seminar, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA, USA, June 30, 2017.
M. Higashiwaki, "Development of gallium oxide device technologies for power electronics and beyond," Invited seminar, School of Engineering, University of Warwick, Coventry, UK, Apr. 4, 2017.

2016

M. Higashiwaki, "Gallium oxide device technologies for next-generation power electronics," Seminar, IEMN, Lille, France, Sep. 5, 2016.
M. H. Wong, K. Sasaki, Y. Morikawa, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "High-voltage Ga₂O₃ MOSFETs – Electrical performance, thermal characteristics, and the path forward," Seminar, HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA, Aug. 5, 2016.
M. H. Wong, K. Sasaki, Y. Morikawa, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "High-voltage Ga₂O₃ MOSFETs – Electrical performance, thermal characteristics, and the path forward," EE seminar, Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA, Aug. 1, 2016.

2015

M. Higashiwaki, "Opportunities and challenges for Ga₂O₃ in next-generation power electronics," Seminar, Temasek Laboratories, Nanyang Technological University, Nanyang Ave., Singapore, Dec. 4, 2015.
M. Higashiwaki, "Recent progress in gallium oxide power devices," Seminar, Teledyne Scientific & Imaging, LLC, Thousand Oaks, CA, USA, July 2, 2015.
M. Higashiwaki, "Gallium oxide devices for next revolution in power electronics," EE seminar, Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA, June 19, 2015.
M. Higashiwaki, "Gallium oxide devices for next revolution in power electronics," SSEL seminar, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA, June 18, 2015.

2014

M. Higashiwaki, "Current status and future prospects of gallium oxide-based optoelectronics," Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA, USA, Aug. 11, 2014.
M. Higashiwaki, "Progress, prospects, and challenges in gallium oxide-based electronics," Seminar: Department of Physics and Earth Sciences, University of Parma, Italy, May. 21, 2014.
M. Higashiwaki, "New widegap semiconductor gallium oxide (Ga₂O₃) power devices," EE seminar, University of Notre Dame, South Bend, IN, USA, Mar. 27, 2014.

2013

M. Higashiwaki, "New widegap semiconductor gallium oxide (Ga₂O₃) power devices," ECE seminar, Arizona State University, Phoenix, AZ, USA, Aug. 23, 2013.

2012

M. Higashiwaki, "New widegap semiconductor gallium oxide (Ga₂O₃) power devices," Seminar, HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA, Aug. 31, 2012.
M. Higashiwaki, "New widegap semiconductor gallium oxide (Ga₂O₃) power devices," ECE seminar, Ohio State University, Columbus, OH, USA, June 15, 2012.

2010

M. Higashiwaki, "GaN heterostructure field-effect transistors for millimeter-wave applications," Teledyne Scientific & Imaging, Feb. 04, 2010.

2008

M. Higashiwaki, "GaN heterostructure field-effect transistor technology for millimeter-wave applications," Solid State Seminar, Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Feb. 8, 2008.

2007

M. Higashiwaki, "Development of GaN heterostructure field-effect transistor technology for millimeter-wave applications," Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Jan. 30, 2007.
M. Higashiwaki, "Development of GaN heterostructure field-effect transistor technology for millimeter-wave applications," Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Jan. 26, 2007.

2005

M. Higashiwaki, "High-frequency AlGaN/GaN HFETs for millimeter-wave applications", Rockwell Scientific Company, June 23, 2005.

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国内会議・研究会・セミナー招待・依頼講演

2024

東脇正高、大槻匠、上村崇史、Zhenwei Wang、佐藤翔太、江口輝生、中岡蔵、谷口奨季、村上尚、熊谷義直："β-Ga₂O₃電子デバイス開発の進展"、学振R032委員会第15回研究会、四日市市地場産業振興センター、三重、2024年1月12日.

2023

富樫理恵、後藤健、東脇正高、熊谷義直："Ⅲ族酸化物半導体結晶成長の熱力学的検討"、薄膜材料デバイス研究会第20回研究集会、龍谷大学響都ホール、京都、2023年11月9-10日.
東脇正高："酸化ガリウムデバイス技術の現状と今後"、透明酸化物光・電子材料研究会第6回研究会「新しい機能材料と潮流」、東京大本郷キャンパス、東京、2023年10月20日.
東脇正高："ベータ型酸化ガリウムデバイスの開発動向とダイオード、トランジスタ応用への展望"、技術情報協会講演会セミナー「次世代パワーデバイスに向けたデバイス化技術と要素技術の展望」、オンライン (Zoom)、2023年9月12日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開"、R&D支援センターセミナー「酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開」、オンライン (Zoom)、2023年8月7日.
東脇正高："酸化ガリウム：材料・デバイス技術の現在地"、第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、山形テルサ、山形、2023年6月15-17日.
熊谷義直、後藤健、村上尚、佐々木公平、倉又朗人、東脇正高："HVPE法による縦型Ga₂O₃デバイス用高純度高速エピ成長"、応用電子物性分科会/結晶工学分科会合同研究会「次世代ワイドギャップパワーデバイスの最前線」、ウインクあいち、名古屋、愛知、2023年6月12-13日.
東脇正高、上村崇史、大槻匠、Sandeep Kumar、Zhenwei Wang、江口輝生、佐藤翔太、谷口奨季、中岡蔵、村上尚、熊谷義直："ベータ酸化ガリウムデバイス開発の最近の進展"、応用電子物性分科会/結晶工学分科会合同研究会「次世代ワイドギャップパワーデバイスの最前線」、ウインクあいち、名古屋、愛知、2023年6月12-13日.
東脇正高："酸化ガリウムパワー半導体の特性と実用化への展望"、シーエムシー出版セミナー「次世代パワー半導体の高性能化と開発動向」、神田、東京、2023年5月26日.
上村崇史、東脇正高："極限環境化での動作が可能な酸化ガリウムデバイス"、2023年電子情報通信学会総合大会「BI-5　極限環境コミュニケーション〜こんなところに通信技術！？」、芝浦工大大宮キャンパス、大宮、埼玉、3月7-10日．
東脇正高："酸化ガリウム材料・デバイス研究開発の現状"、第157回東工大フロンティア材料研究所学術講演会「低炭素社会に向けた次世代パワエレ最前線　～材料からデバイスまで～」、オンライン (Zoom)、2023年2月27日.
東脇正高："酸化ガリウムデバイス開発の現状と今後の展望"、第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会、東レ総合研修センター、三島、静岡、2023年2月3-4日.

2022

東脇正高："Beyond 5Gにおける酸化ガリウムデバイスの役割と可能性"、応用物理学会薄膜・表面物理分科会第51回薄膜・表面物理基礎講座「Beyond 5Gと薄膜・表面物理の接点」、慶應義塾大学日吉キャンパス/オンライン (Zoom)、日吉、神奈川、2022年10月31日．
東脇正高："酸化ガリウムの物性と電子デバイス応用"、ワイドギャップ半導体学会特別公開シンポジウム「チュートリアル講演：ワイドギャップ半導体光・電子デバイスの最前線」、ウインクあいち/オンライン (Zoom)、名古屋、愛知、2022年10月6-7日．
東脇正高： "酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向"、サイエンス＆テクノロジーセミナー「酸化ガリウムの基板製造・薄膜結晶成長技術およびパワーデバイスの開発動向」、オンライン (Zoom)、2022年9月30日.
熊谷義直、池永和正、石川真人、後藤健、村上尚、町田英明、倉又朗人、山越茂伸、東脇正高："β-Ga₂O₃結晶の気相エピタキシャル成長の現状と展望"、化学工学会反応工学部会 CVD反応分科会第36回シンポジウム、オンライン (Zoom)、2022年7月1日.
東脇正高："酸化ガリウムデバイス技術の研究開発"、キャンパスクリエイト「【第1回サイエンス・サロン】～ナノテクノロジー・新材料技術における最先端研究～」、オンライン (Zoom)、2022年6月22日.
東脇正高："酸化ガリウム材料・デバイスの技術動向"、応用物理学会産学連携委員会システムデバイスロードマップ産学連携委員会 (SDRJ)「2022年度第2回BC、MtM合同委員会」、オンライン (Teams)、2022年6月21日.
東脇正高、Sandeep Kumar、後藤健、村上尚、熊谷義直："Ga₂O₃イオン注入ドーピング技術とそのデバイス応用"、日本学術振興会第R032委員会第6回研究会「ワイドギャップ半導体Ⅱ」、オンライン (Zoom)、2022年3月4日.

2021

東脇正高："マイクロ波帯酸化ガリウムトランジスタの研究開発"、総務省戦略的情報通信研究開発セミナー　－ SCOPE成果の更なる展開に向けて－、オンライン (WebEx)、2021年12月13日.
後藤健、村上尚、倉又朗人、山腰茂伸、東脇正高、熊谷義直："高品質β-Ga₂O₃結晶のエピタキシャル成長技術"、日本学術振興会145委員会第173回研究会「ワイドギャップ半導体Ga₂O₃結晶成長と評価、デバイス応用の最前線」、オンライン (Zoom)、2021年12月8日.
東脇正高、上村崇史、後藤健、村上尚、熊谷義直："酸化ガリウムFET技術開発の現状と今後"、電気学会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」調査専門委員会、オンライン (WebEx)、2021年8月23日.
東脇正高："酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向"、サイエンス＆テクノロジーセミナー「酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向」、オンライン (Zoom)、2021年8月23日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開"、R&D支援センターセミナー「酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開」、オンライン (Zoom)、2021年7月27日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発状況と課題"、技術情報協会講演会セミナー「次世代パワーデバイスの開発動向と実用化に向けた課題」、オンライン (Zoom)、2021年6月30日.
東脇正高："酸化ガリウムデバイス開発－半導体ルネサンスを目指して－"、NICTフロンティアサイエンスシンポジウム2021　－ ICT社会の未来を拓くサイエンス＆テクノロジー最前線－、オンライン (WebEx)、2021年5月28日.
東脇正高、上村崇史："酸化ガリウムFET の耐放射線デバイスとしての可能性"、応用物理学会先進パワー半導体分科会第19回研究会「ワイドバンドギャップ半導体を用いた極限環境エレクトロニクス」、オンライン (Zoom)、2021年4月27日.
東脇正高："酸化ガリウム材料、デバイス開発　～この10年、次の10年～"、日本学術振興会162委員会第121回研究会（第五期総括記念研究会）「ワイドギャップ半導体の進展 ― 結晶成長、物性評価からデバイスまで」、オンライン (Zoom)、2021年3月5日.

2020

東脇正高："酸化ガリウム半導体の将来技術展望"、FIoTコンソーシアム機能性フレキシブルとインクジェット技術分科会、オンライン (WebEx)、2020年12月22日.
熊谷義直、後藤健、村上尚、倉又朗人、山腰茂伸、東脇正高："ハライド気相成長法によるβ-Ga₂O₃高品質ホモエピタキシャル層の高速成長と導電性制御"、第72回CVD研究会、オンライン (Zoom)、2020年12月18日.
東脇正高、Man Hoi Wong、後藤健、村上尚、熊谷義直："イオン注入ドーピングプロセスを用いた縦型β-Ga₂O₃パワートランジスタ開発"、応用物理学会先進パワー半導体分科会第17回研究会「次世代パワー半導体Ga₂O₃とダイヤモンドの進展」、オンライン (Zoom)、2020年9月24日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの技術と実用化【最新展望】"、S&T出版セミナー「SiC/GaN/酸化ガリウムパワーデバイスの技術と実用化【最新展望】」、連合会館、神田、東京、2020年3月3日.

2019

熊谷義直、後藤健、村上尚、倉又朗人、山腰茂伸、東脇正高："ハライド気相成長法を用いたβ-Ga₂O₃ホモエピタキシャルウェハ量産技術の確立"、第48回結晶成長国内会議 (JCCG-48)、大阪大学銀杏会館、吹田、大阪、2019年10月30日～11月1日.
東脇正高、ワンマンホイ、後藤健、村上尚、熊谷義直："縦型酸化ガリウムトランジスタのデバイスプロセスと特性"、2019年電気学会電子・情報・システム部門大会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用（電子デバイス技術委員会）」、琉球大学工学部、中頭郡、沖縄、2019年9月4-7日.
東脇正高："縦型酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状"、新規事業研究会第319回月例研究会、東京工業大学大岡山キャンパス蔵前会館、目黒、東京、2019年7月20日.
東脇正高、Man Hoi Wong、後藤健、村上尚、熊谷義直："酸化ガリウムトランジスタ開発の進展"、2019年日本結晶成長学会特別講演会「高機能・高性能デバイスへ向けた最先端研究から探る結晶成長の課題」、京都国立博物館、東山、京都、2019年6月7日.
東脇正高、Man Hoi Wong、林家弘、湯田洋平、綿引達郎、山向幹雄、後藤健、村上尚、熊谷義直："p型酸化ガリウムの形成とそのデバイス応用"、日本学術振興会151委員会令和元年度第1回研究会「ワイドバンドギャップ半導体の結晶成長の動向」、東京工業大学大岡山キャンパス西8号館、目黒、東京、2019年5月31日.
東脇正高："次世代パワーデバイス応用に向けた酸化ガリウム半導体材料・デバイスの基礎及び今後の展開"、情報機構セミナー、新宿文化センター、新宿、東京、2019年5月15日.
東脇正高、Man Hoi Wong、林家弘、湯田洋平、綿引達郎、山向幹雄、後藤健、村上尚、熊谷義直："イオン注入ドーピングを用いたβ-Ga₂O₃縦型パワーデバイス開発"、日本学術振興会162委員会第113回研究会「ここまで来た！酸化ガリウム半導体・デバイス開発」、大阪大学吹田キャンパス銀杏会館、吹田、大阪、2019年5月10日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と開発動向、課題と展望"、サイエンス＆テクノロジーセミナー「酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と実用化に向けた開発動向」、芝エクセレントビル、浜松町、品川区、東京、2019年4月18日.
東脇正高："酸化ガリウム（Ga₂O₃）パワーデバイス基盤技術開発の現状と今後"、ＳＩＰ「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム　～どこでもパワエレ機器で豊かな省エネ社会～、東京ガーデンテラス紀尾井町紀尾井カンファレンス、千代田、東京、2019年3月28-29日.
東脇正高、ワンマンホイ、林家弘、佐々木公平、後藤健、倉又朗人、山腰茂伸、村上尚、熊谷義直："Ga₂O₃イオン注入技術の進展とデバイスプロセスへの適用"、第66回応用物理学会春季学術講演会：シンポジウム「イオン注入技術の進展　～Si、GaAsから最先端WBG半導体まで～」、東工大大岡山キャンパス、目黒、東京、2019年3月9-12日.

2018

東脇正高、Man Hoi Wong、林家弘、後藤健、倉又朗人、山腰茂伸、村上尚、熊谷義直："Development of vertical gallium oxide power transistors"、第28回日本MRS年次大会シンポジウムA-1「先進機能性酸化物材料－作製プロセスおよび物性評価－」、北九州国際会議場・西日本総合展示場、小倉、福岡、2018年12月18-20日.
東脇正高、Man Hoi Wong、林家弘、後藤健、村上尚、熊谷義直："Ga₂O₃パワーデバイスの最新動向"、URSI-C小委員会第24期第3回公開研究会、秋保温泉篝火の湯「緑水亭」、仙台、宮城、2018年12月14日.
熊谷義直、村上尚、後藤健、東脇正高、倉又朗人、山腰茂伸："HVPE 法によるβ-Ga₂O₃結晶のエピタキシャル成長"、日本学術振興会第145委員会第160回研究会、明治大学駿河台キャンパス、千代田、東京、2018年10月19日.
東脇正高、ワンマンホイ、林家弘、武山昭憲、牧野高紘、大島武、八田直記、八木邦明、渡辺信也、佐々木公平、倉又朗人、山腰茂伸、Manikant, M. A. Casbon, M. J. Uren, J. W. Pomeroy, S. Dalcanale, S. Karboyan, P. J. Tasker, M. Kuball："高周波デバイス応用に向けた酸化ガリウムトランジスタ開発"、第79回応用物理学会秋季学術講演会：シンポジウム「IoTに資する高周波デバイスにおける機能性酸化物の役割」、名古屋国際会議場、名古屋、愛知、2018年9月18-21日.
東脇正高、ワンマンホイ、林家弘、八田直記、八木邦明、渡辺信也、後藤健、佐々木公平、倉又朗人、山腰茂伸、Manikant, M. A. Casbon, M. J. Uren, J. W. Pomeroy, S. Dalcanale, S. Karboyan, P. J. Tasker, M. Kuball、小西啓太、村上尚、熊谷義直："酸化ガリウムデバイス技術－異種材料接合への期待－"、日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会第18回研究会、東大本郷キャンパス、文京、東京、2018年9月14日.
東脇正高、ワンマンホイ、林家弘、八田直記、八木邦明、後藤健、佐々木公平、倉又朗人、山腰茂伸、小西敬太、村上尚、熊谷義直："酸化ガリウムパワーデバイス技術の開発動向と今後の課題"、第82回半導体・集積回路技術シンポジウム（主催：電気化学会電子材料委員会）、東京理科大森戸記念館、新宿、東京、2018年8月30-31日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発状況、課題と実用化展望"、技術情報協会講演会セミナー「次世代パワーデバイスの最新開発動向と実用化展望」、技術情報協会セミナールーム、五反田、東京、2018年7月30日.
熊谷義直、小西啓太、後藤健、村上尚、倉又朗人、山腰茂伸、東脇正高："ハライド気相成長法によるⅢ族セスキ酸化物半導体結晶の成長"、日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、名古屋大学東山キャンパス、名古屋、愛知、2018年7月12-13日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発動向と今後の展望"、東レリサーチセンター半導体分析セミナー2018、東京コンファレンスセンター・品川、港区、東京、2018年7月5日.
東脇正高："次世代パワーデバイス酸化ガリウム"、野村證券機関投資家向けセミナー、アーバンネット大手町ビル、大手町、千代田区、東京、2018年6月20日.
中田義昭、上村崇史、リンガバルティラビキラン、倉又朗人、山腰茂伸、東脇正高："パワーデバイスへの応用を目指した酸化ガリウムのMBE成長"、日本表面真空学会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）第158回定例研究会「成膜用プラズマプロセスと先端材料薄膜堆積」、機械振興会館、芝公園、港区、東京、2018年6月1日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向"、ジャパンマーケティングサーベイセミナー「次世代パワーデバイス」、東京都中央区立産業会館、東日本橋、中央区、東京、2018年4月27日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスのインパクトと実用化に向けた開発動向"、サイエンス＆テクノロジーセミナー、芝エクセレントビル、浜松町、品川区、東京、2018年4月24日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向"、ＣＭＣリサーチセミナー、ちよだプラットフォームスクウェア、神田、千代田区、東京、2018年3月28日.
東脇正高："次世代パワーデバイス酸化ガリウムトランジスタ・ダイオード開発の最新動向と今後の課題"、キーサイト・テクノロジー「パワーエレクトロニクス設計者のためのデバイスモデリングセミナー」、キーサイト・テクノロジー八王子事業所、八王子、東京、2018年3月15日: [基調講演].
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開"、R&D支援センターセミナー、新宿文化センター、新宿、東京、2018年2月26日.

2017

東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの研究・開発動向"、S&T出版セミナー「酸化ガリウム単結晶・ウェハ・薄膜とパワーデバイス研究・開発最前線」、高橋ビルヂング、千代田、東京、2017年12月8日.
東脇正高："酸化ガリウムトランジスタ・ダイオード開発の最新動向と離陸への課題"、パワーデバイス・イネーブリング協会 (PDEA) 主催セミナー「次世代パワーデバイスの有力候補を斬る：注目の酸化ガリウム＆ダイヤモンドの最新開発動向」、品川フロントビル、品川、東京、2017年12月6日.
東脇正高、倉又朗人、村上尚、熊谷義直："酸化ガリウムパワーデバイスの最先端"、日本学術振興会第162委員会委員会100回記念特別公開シンポジウム「ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望　～パワー半導体を中心として～」、ロワジールホテル豊橋、愛知、2017年10月26-27日: [レビュー講演].
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの現状と将来展望"、第3回先導技術研究会幹事会、研究産業・産業技術振興協会　東京本部会議室、本郷、東京、2017年10月3日.
東脇正高、ワンマンホイ、小西敬太、中田義昭、上村崇史、林家弘、後藤健、佐々木公平、武山昭憲、牧野高紘、大島武、倉又朗人、山腰茂伸、村上尚、熊谷義直："Ga₂O₃電子デバイス開発の現状と展望　～パワーデバイス、そして～"、第78回応用物理学会秋季学術講演会：シンポジウム「これからの未来を担う新ワイドギャップ酸化物材料Ga₂O₃」、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス、博多、福岡、2017年9月5-8日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの課題と開発動向"、技術情報協会講演会セミナー、技術情報協会セミナールーム、五反田、東京、2017年8月25日.
東脇正高、ワンマンホイ、小西敬太、中田義昭、後藤健、佐々木公平、倉又朗人、山腰茂伸、村上尚、熊谷義直："酸化ガリウムパワーデバイスの進展"、日本学術振興会154委員会第104回研究会「酸化物半導体：現状と今後の進展」、キャンパス・イノベーションセンター (CIC) 東京、田町、東京、2017年8月7日.
東脇正高、小西敬太、後藤健、村上尚、熊谷義直、倉又朗人、山腰　茂伸："耐圧1 kV超Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード"、応用物理学会応用電子物性分科会研究例会「ワイドバンドギャップ半導体デバイス　～成長およびデバイスプロセスの理解～」、大阪大学大学院基礎工学研究科シグマホール、豊中、大阪、2017年6月8日.
倉又朗人、輿公祥、佐々木公平、後藤健、渡辺信也、山岡優、脇本大樹、ティユクァントゥ、増井建和、山腰茂伸、村上尚、熊谷義直、東脇正高："パワーデバイスに向けたGa₂O₃ウエハプロセス技術"、第64回応用物理学会春季学術講演会：シンポジウム「先進パワーデバイスのプロセス技術」、パシフィコ横浜、みなとみらい、神奈川、2017年3月14-17日.
尾沼猛儀、齋藤伸吾、佐々木公平、後藤健、増井建和、山口智広、本田徹、倉又朗人、東脇正高："単斜晶酸化ガリウム結晶における光学遷移過程"、第64回応用物理学会春季学術講演会：シンポジウム「金属酸化物の結晶物性に迫る」、パシフィコ横浜、みなとみらい、神奈川、2017年3月14-17日.
尾沼猛儀、山口智広、本田徹、佐々木公平、後藤健、増井建和、倉又朗人、齋藤伸吾、東脇正高："β-Ga₂O₃結晶における光学的異方性の解析"、日本学術振興会161委員会第98回研究会「ワイドギャップ酸化物半導体β-Ga₂O₃結晶成長、結晶評価、デバイス応用」、長浜ロイヤルホテル、滋賀、2017年1月12-13日.
熊谷義直、村上尚、後藤健、倉又朗人、東脇正高："ハライド気相成長法による単結晶β-Ga₂O₃基板上高速ホモエピタキシャル成長"、日本学術振興会161委員会第98回研究会「ワイドギャップ酸化物半導体β-Ga₂O₃結晶成長、結晶評価、デバイス応用」、長浜ロイヤルホテル、滋賀、2017年1月12-13日.
東脇正高："酸化ガリウムデバイス開発の現状と展望"、日本学術振興会161委員会第98回研究会「ワイドギャップ酸化物半導体β-Ga₂O₃結晶成長、結晶評価、デバイス応用」、長浜ロイヤルホテル、滋賀、2017年1月12-13日.

2016

佐々木公平、倉又朗人、増井建和、後藤健、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、モネマーボ、東脇正高、山腰茂伸："酸化ガリウムエピ／基板開発の進展"、第77回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「酸化物エレクトロニクスの未来展望を描く」、朱鷺メッセ、新潟、2016年9月13日.
東脇正高、Man Hoi Wong、小西敬太、佐々木公平、後藤健、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、Bo Monemar、倉又朗人、山腰茂伸："酸化ガリウムパワーデバイス開発の進捗状況"、応用電子物性分科会研究例会「酸化物材料の基礎物性とその応用」、首都大学東京秋葉原サテライトキャンパス、東京、2016年7月29日.
東脇正高、Man Hoi Wong、小西敬太、佐々木公平、後藤健、Quang Tu Thieu、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、Bo Monemar、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："Recent progress in development of gallium oxide power devices"、35th Electronic Materials Syposium (EMS-35)、ラフォーレ琵琶湖、滋賀、2016年7月6-8日.
佐々木公平、倉又朗人、増井建和、後藤健、森島嘉克、飯塚和幸、ティユクァントゥ、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、モネマーボ、東脇正高、山腰茂伸："Ga₂O₃基板とホモ/ヘテロエピタキシャル成長技術"、応用物理学会結晶工学分科会第145回研究会「ワイドギャップ半導体を支えるバルク基板とエピ技術」、名古屋大学東山キャンパス坂田・平田ホール、名古屋、愛知、2016年6月3日.
東脇正高、Man Hoi Wong、小西敬太、佐々木公平、後藤健、野村一城、Quang Tu Thieu、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、Bo Monemar、纐纈明伯、倉又朗人、山腰茂伸："酸化ガリウムデバイスの現状と今後の展開"、応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―、東レ研修センター、三島、静岡、2016年1月22-23日.
東脇正高、Man Hoi Wong、小西敬太、佐々木公平、後藤健、野村一城、Quang Tu Thieu、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、Bo Monemar、纐纈明伯、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会(ED研) 1月研究会「パワーデバイスおよび超高周波デバイス／マイクロ波一般」、機械振興会館、東京、2016年1月20日.

2015

東脇正高、佐々木公平、小西敬太、Man Hoi Wong、後藤健、野村一城、Quang Tu Thieu、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、Bo Monemar、纐纈明伯、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："Ga₂O₃パワーデバイス開発の現状と課題"、日本学術振興会第131委員会第276回研究会・第162委員会第95回研究会研究会「エネルギーマネージメントデバイス」、京都リサーチパーク（KRP）、京都、2015年10月2日.
東脇正高、佐々木公平、Man Hoi Wong、上村崇史、後藤健、野村一城、Quang Tu Thieu、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、Bo Monemar、纐纈明伯、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の開発"、応用物理学会第3回先進パワー半導体分科会研究会「次世代パワー半導体デバイスの進展」、産総研つくば西事業所 TIA連携棟 TIA-nanoホール、筑波、茨城、2015年7月9日.
上村崇史、キルシナムルティダイワシガマニ、倉又朗人、山腰茂伸、東脇正高："Al₂O₃/Ga₂O₃界面構造とその面方位依存性"、電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM）6月研究会「MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術」、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー、名古屋、愛知、2015年6月19日.
東脇正高、佐々木公平、Man Hoi Wong、上村崇史、倉又朗人、山腰茂伸："酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と課題"、電気学会電子デバイス研究会「次世代化合物電子デバイスとその応用」、絹の渓谷碧流、日光、栃木、2015年3月4日.
東脇正高："次世代ワイドバンドギャップ半導体酸化ガリウムパワーデバイス：現状と挑戦"、オートモーティブワールド2015 専門技術セミナー「高効率を追求するSiC/GaN インバータ最前線 (Auto-3)」、東京ビッグサイト（東京国際展示場）会議棟、有明、東京、2015年1月15日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と今後の展開"、大阪大学ナノ理工学人材育成産学コンソーシアム平成26年度第3回ナノ理工学情報交流会「シリコンを越えるナノエレクトロニクス関連材料とデバイス」、大阪大学豊中キャンパス文理融合型研究棟、豊中、大阪、2015年1月14日.

2014

東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と今後の展開"、アナログ技術トレンドセミナ「新しいワイドギャップ半導体；酸化ガリウムデバイスの動向」、京都テルサ、南区、京都、2014年11月26日.
佐々木公平、東脇正高、倉又朗人、増井建和、森島嘉克、飯塚和幸、山腰茂伸："酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用"、誘電体研究委員会第135回定例会、東工大蔵前会館、目黒、東京、2014年11月14日.
増井建和、東脇正高、倉又朗人、佐々木公平、森島嘉克、飯塚和幸、山腰茂伸："酸化ガリウム基板の開発について"、先端加工ネットワーク第4回産官学連携研究開発講演会「ワイドギャップ半導体ウェハの最新動向と先進加工技術」、産総研西事業所TIA連携棟、つくば、茨城、2014年11月7日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイス★徹底解説　～注目の新しいパワー半導体材料Ga₂O₃を徹底解説～"、Electronic Journal 第2483回 Technical Seminar、連合会館、御茶ノ水、東京、2014年10月10日.
佐々木公平、東脇正高、倉又朗人、増井建和、森島嘉克、飯塚和幸、山腰茂伸："酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用"、第93回バルク成長分科会研究会、早稲田大学西早稲田キャンパス、新宿、東京、2014年10月2日.
尾沼猛儀、山口智広、伊藤雄三、本田徹、佐々木公平、増井建和、東脇正高："Ga₂O₃基板の光学的特性評価"、日本学術振興会第162委員会研究会「酸化物材料の最近の進展」、京都大学東京オフィス、品川、東京、2014年9月26日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現在までの進展と今後"、電子情報技術産業協会エネルギーマネージメント・キーデバイス技術分科会講演会、大手センタービル、大手町、東京、2014年9月12日.
佐々木公平、東脇正高、倉又朗人、増井建和、森島嘉克、飯塚和幸、山腰茂伸："酸化ガリウムMBE成長とデバイス応用"、第59回CVD研究会（第25回夏季セミナー）、犬山館、犬山市、愛知、2014年8月27, 28日.
東脇正高："ワイドギャップ系化合物デバイスの動向～2014年DRC/CSWを中心に～"、電気学会「次世代化合物電子デバイスとその応用」調査専門委員会研究会、HOMAT HORIZONビル（電気学会　第1,2会議室）、市ヶ谷、東京、2014年7月15日.
東脇正高："酸化ガリウム（Ga₂O₃）パワーデバイスの研究開発の現状と展望"、SMBC日興証券テーマセミナー、新丸の内ビルディングコンファレンススクエア、丸の内、東京、2014年6月4日.
倉又朗人、増井建和、輿公祥、佐々木公平、森島嘉克、飯塚和幸、東脇正高、山腰茂伸："バルクGa₂O₃単結晶育成"、日本学術振興会第161委員会第87回研究会「新しい結晶・育成方法およびその応用」、メルパルク京都、京都、2014年5月9日.
東脇正高、佐々木公平、Man Hoi Wong、上村崇史、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："酸化ガリウムトランジスタ開発の現在までの進展と今後"、日本学術振興会第151・162委員会合同研究会「ワイドギャップ半導体パワーデバイス研究開発の最前線」、主婦会館プラザエフ、四ツ谷、東京、2014年5月9日.
東脇正高、佐々木公平、Man Hoi Wong、上村崇史、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："酸化ガリウム (Ga₂O₃) MOSFET"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会(ED研)特別ワークショップ「酸化物材料: その多彩なデバイス応用」、首都大学東京秋葉原サテライトキャンパス、東京、2014年3月5日.
東脇正高、佐々木公平、Man Hoi Wong、上村崇史、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："Ga₂O₃パワーデバイス研究開発の現状と今後"、応用物理学会関西支部セミナー「光物性とその光機能―酸化物半導体の光物性・評価」、大阪市立大学学術情報総合センター、住吉、大阪、2014年1月11日.

2013

M. H. Wong, S. Keller, Nidhi, S. Dasgupta, D. J. Denninghoff, S. Kolluri, D. F. Brown, J. Lu, N. A. Fichtenbaum, E. Ahmadi, U. Singisetti, A. Chini, S. Rajan, S. P. DenBaars, J. S. Speck, U. K. Mishra, T. Kamimura, K. Sasaki, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Wide-bandgap nitride- and oxide-based electronics –Vision, challenges, and opportunities-," 10th Nano Bio Info Chemistry Symposium (NaBiT 2013), Hiroshima University, Hiroshima, Dec. 14-15, 2013.
東脇正高："酸化ガリウム次世代パワーデバイスの開発動向　～注目の新しいパワー半導体材料Ga₂O₃を徹底解説～"、Electronic Journal 第1869回 Technical Seminar、連合会館、御茶ノ水、東京、2013年9月11日.
佐々木公平、東脇正高、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："Development of gallium oxide power devices"、32nd Electronic Materials Syposium、ラフォーレ琵琶湖、滋賀、2013年7月10-12日.
東脇正高、佐々木公平、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："Ga₂O₃パワーデバイス研究開発の現状と今後"、応用電子物性分科会研究例会「ワイドギャップ半導体の基板から展開するデバイス　～実用デバイスへの展開～」、京都テルサ、京都、2013年6月7日.
東脇正高："酸化ガリウム（Ga₂O₃）次世代パワーデバイスの研究開発の現状と今後の展望"、サイエンス＆テクノロジーセミナー、東京流通センター、平和島、東京、2013年5月29日.

2012

東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と今後の展望"、プラナリゼーションCMP委員会（第121回研究会）、主婦会館プラザエフ、四ツ谷、東京、2012年10月26日.
東脇正高："新材料酸化ガリウムを用いたSiCより安価で高性能な次世代パワーデバイスの開発と今後の展望"、DAFS新技術･応用研究委員会　最新技術講演会、伯東㈱本社、新宿、東京、2012年10月25日.
佐々木公平、東脇正高、倉又朗人、増井建和、E.G. Villora、島村清史、山腰茂伸："Ga₂O₃のMBE成長とパワーデバイス応用"、日本学術振興会透明酸化物光・電子材料第166委員会第57回研究会、アイビーホール青学会館、渋谷、東京、2012年10月19日.
東脇正高："Ga₂O₃電子デバイス研究開発の現状と今後"、日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会第82回研究会、首都大学東京秋葉原サテライトキャンパス、東京、2012年8月1日.
東脇正高："新ワイドギャップ半導体酸化ガリウムデバイスの研究開発動向"、JFCAイブニングセミナー、日本ファインセラミックス協会、浜松町、東京、2012年7月26日.
東脇正高、佐々木公平、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："Single-crystal gallium oxide (Ga₂O₃) metal-semiconductor field-effect transistors"、31st Electronic Materials Syposium、ラフォーレ修善寺、伊豆、静岡、2012年7月11-13日.
東脇正高、佐々木公平、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状と今後"、電気学会「クライド時代のユビキタス電子デバイス調査専門委員会」、法政大マイクロ・ナノテクノロジー研究センター、小金井、東京、2012年7月10日.
東脇正高："新材料：酸化ガリウム～SiCよりも安くて高性能なパワー素子を目指して～"、日経エレクトロニクス「パワー半導体フォーラム2012」、日本化学会化学会館、御茶ノ水、東京、2012年6月26日.
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開"、日本技術情報センターセミナー「低コスト化進む次世代パワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開」、メディアボックス、新宿、東京、2012年5月31日.
藤田静雄、東脇正高、佐々木公平、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸、大島孝仁、大友明："ワイドギャップ半導体酸化ガリウムの基本特性と応用"、日本学術振興会透明酸化物光・電子材料第166委員会第55回研究会、アイビーホール青学会館、渋谷、東京、2012年4月27日.
藤田静雄、東脇正高、佐々木公平、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸、大島孝仁、大友明："酸化ガリウム半導体の機能とデバイス応用"、日本学術振興会第161・162委員会合同研究会「AlGaN, II-VI族, 酸化物の伝導制御とデバイス展開～ワイドギャップ半導体を俯瞰して～」、主婦会館プラザエフ、四ツ谷、東京、2012年3月2日.

2011

東脇正高、佐々木公平、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："単結晶酸化ガリウムMESFET"、SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会、ウィンク愛知、名古屋、愛知、2011年12月8-9日.
東脇正高："米国における窒化物半導体開発動向; 超高周波GaN 電子デバイス"、第10回窒化物半導体応用研究会、名古屋銀行協会大ホール、名古屋、愛知、2011年3月10日.

2010

東脇正高、Srabanti Chowdhury、Yi Pei、Rongming Chu、Brian L. Swenson、Umesh K. Mishra："AlGaN/GaNヘテロ構造における表面ドナー準位とドレイン電流コラプス"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会11月研究会「GaNトランジスタの進展と課題」、大阪大学中之島センター、中之島、大阪、2010年11月12日.

2007

東脇正高、三村高志、松井敏明："AlN/GaN HFET"、日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会第110回研究会、主婦会館プラザエフ、東京、2007年6月4日.

2006

東脇正高、三村高志、松井敏明："ミリ波GaNトランジスタの研究開発"、電子情報通信学会電子デバイス研究会（ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム）、機械振興会館、東京、2006年12月8日.
東脇正高、三村高志、松井敏明："Cat-CVD SiNパッシベーション膜を有するGaNトランジスタ"、日本学術振興会「半導体界面制御技術」第154委員会・「ワイドギャップ」第162委員会合同研究会、海風庭「えびな」、静岡、2006年12月3-4日.
東脇正高、三村高志、松井敏明："Cat-CVD SiN膜を用いたミリ波帯GaNトランジスタの研究開発"、第3回Cat-CVD研究会、長岡技術科学大学、新潟、2006年6月23日.
東脇正高、三村高志、松井敏明："ミリ波帯GaNトランジスタの研究開発"、電子情報通信学会シンポジウム「実用化が進むGaNデバイスの現状と展望」、国士舘大学、東京、2006年3月27日.
東脇正高、三村高志、松井敏明："高周波AlGaN/GaN HEMT"、応用物理学会応用電子物性分科会研究例会「窒化物半導体電子デバイスの最近の進展」、東京理科大学理窓会館、東京、2006年1月25日.

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国内大学・企業・研究所　特別講義、セミナー

2023

東脇正高："酸化ガリウムエレクトロニクス　– 新規ワイドバンドギャップ半導体分野の開拓 –"、大阪大学大学院基礎工学部研究科「固体物理セミナー」、2023年6月13日．
東脇正高："ウルトラワイドバンドギャップ半導体酸化ガリウム　– 次世代半導体材料・デバイス研究開発 –"、大阪大学基礎工学部「電気工学特別講義」、2023年6月13日．

2021

東脇正高："次世代ワイドギャップ半導体酸化ガリウムデバイスの現状と将来展望"、2021年度第1回機能創成科学セミナー、大阪市立大学工学研究科機能創成科学教育研究センター、2021年6月18日．

2018

東脇正高："酸化ガリウムエレクトロニクス～新しい半導体分野の開拓～"、「応用マテリアル工学」（学部3回生講義）、東京大学工学部マテリアル工学科、2018年10月10日．

2017

東脇正高："Ga₂O₃半導体の開発状況と未来"、第24回トヨタグループ半導体技術研究会、豊田中央研究所、2017年11月13日．

2016

東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状"、TDKテクニカルセンター講演会、2016年7月19日．

2014

東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発の現状と展望"、三菱電機先端技術総合研究所講演会、2014年12月16日．
東脇正高："酸化ガリウムエレクトロニクスの現状と今後"、佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター講演会、2014年11月21日．
東脇正高："次世代パワーデバイス応用を目指した酸化ガリウムトランジスタ"、大学院特別講義、東京理科大学大学院基礎工学研究科電子応用工学専攻、2014年11月13日．
東脇正高："新ワイドバンドギャップ半導体酸化ガリウムトランジスタの研究開発の現状と今後"、光ナノサイエンス特別講義、奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科、2014年7月8日．

2011

東脇正高："Si以外の半導体によるトランジスタ研究開発動向"、学部4回生、大学院集中講義「先端機能材料工学」、大阪大学大学院基礎工学研究科、2011年5月13, 20日．

2007

東脇正高："新世代無線ネットワークのための超高周波トランジスタの研究開発"、奈良工業高等専門学校、2007年6月22日．

2006

東脇正高："ミリ波帯応用に向けたGaNトランジスタの研究開発"、日本電気システムデバイス研究所、2006年8月3日．
東脇正高："ミリ波帯応用に向けたGaNトランジスタの研究開発"、立命館大学、2006年8月2日．
東脇正高："ナイトライド半導体のMBE成長とミリ波帯トランジスタ応用"、物質・材料研究機構、2006年5月29日．

2005

東脇正高："ミリ波帯応用に向けたGaNトランジスタの研究開発"、東京理科大学大学院電子応用工学専攻特別講義、2005年12月1日．
東脇正高："ミリ波帯応用に向けたGaN HEMTのMBE成長及びデバイスプロセス"、大阪大学大学院基礎工学研究科21世紀COE講演会、2005年11月25日．

2004

東脇正高："ミリ波帯電子デバイス応用に向けたGaN, InNのMBE成長およびプロセス開発"、立命館大学総合理工学研究機構、2004年12月6日．
東脇正高："GaN, InNのMBE成長とミリ波帯電子デバイス応用"、日本ビーコMBEセミナー、浜離宮パークサイドプレイスビル、東京、2004年5月14日．

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著書・雑誌解説記事

著書

2022

東脇正高：『次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術』、第1章「次世代パワーデバイスの動向と技術課題」、第3節「Ga₂O₃パワーデバイス」、pp. 30-38、S&T出版、2022年7月27日．
東脇正高：『次世代パワー半導体の開発・評価と実用化』、第1編「次世代パワー半導体の開発」、第4章「Ga₂O₃ (酸化ガリウム) パワー半導体」、第1節「β型酸化ガリウムパワーデバイス開発」、pp. 185-192、NTS出版、2022年2月25日．

2021

M. Higashiwaki,
"Wide Bandgap Semiconductors for Power Electronics: Materials, Devices, Applications"
Chapter 22 "Gallium Oxide: Material Properties and Devices,"
pp. 659-679, Wiley, October, 2021.
M. Higashiwaki,
"Ultrawide Bandgap Semiconductors"
Chapter 1 "Fundamental technologies for gallium oxide transistors,"
Semiconductors and Semimetals series, vol. 107, pp. 1-22, Elsevier, July, 2021.
東脇正高：『次世代パワー半導体の開発動向と応用展開』、第2章「材料特性と開発」、第3節「酸化ガリウム材料・デバイス開発」、pp. 39-45、シーエムシー出版、2021年8月31日．
東脇正高：『次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎－Siから新材料への新展開－』、第4章「Ga₂O₃パワーデバイス」、pp. 165-200、科学情報出版、2021年1月24日．

2020

M. H. Wong and M. Higashiwaki,
"Gallium Oxide - Materials Properties, Crystal Growth, and Devices -"
Part IV "Devices,"
Chapter 32 "Field-Effect Transistors 2 - Ga₂O₃ Field-Effect Transistors for Power Switching and Radiation-Hard Electronics,"
Springer Series in Materials Science, vol. 293, pp. 583-607, Springer, April, 2020.
M. Schubert, A. Mock, R. Korlacki, S. Knight, B. Monemar, K. Goto, Y. Kumagai, A. Kuramata, Z. Galazka, G. Wagner, M. J. Tadjer, V. D. Wheeler, M. Higashiwaki, and V. Darakchieva,
"Gallium Oxide - Materials Properties, Crystal Growth, and Devices -"
Part III "Materials Properties,"
Chapter 28 "Phonon Properties - Phonon and Free Charge Carrier Properties in Monoclinic-Symmetry β-Ga₂O₃,"
Springer Series in Materials Science, vol. 293, pp. 501-534, Springer, April, 2020.
M. Higashiwaki,
"Gallium Oxide - Materials Properties, Crystal Growth, and Devices -"
Chapter 1 "Introduction,"
Springer Series in Materials Science, vol. 293, pp. 1-12, Springer, April, 2020.
M. H. Wong and M. Higashiwaki,
"Selected Topics in Electronics and Systems",
Chapter 2 "Gallium Oxide Field Effect Transistors — Establishing New Frontiers of Power Switching and Radiation-Hard Electronics,"
vol. 63, pp. 31-50, World Scientific, February, 2020.

2019

M. Higashiwaki,
"Molecular Beam Epitaxy: Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics,"
Part V "Challenge of MBE to New Materials and New Researches,"
Chapter 25 "MBE growth of Ga₂O₃ and its application,"
pp. 411-422, Wiley, April 12, 2019.

2017

東脇正高：『科学立国日本を築くⅡ ～次代を拓く気鋭の研究者たち～』、第1章「LSI技術・電子デバイスの新展開」、第7節「超高周波窒化ガリウム (GaN) トランジスタ～ミリ波帯超高速無線通信に向けて～」、pp. 49-56、日刊工業新聞社、2017年3月1日．

2015

東脇正高：『次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開』、第2編「材料開発」、第6章「酸化ガリウム：材料、デバイス開発」、pp. 47-55、シーエムシー出版、2015年6月10日．

2013

東脇正高、佐々木公平：『ポストシリコン半導体～ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果～』、第2編「ポストシリコン半導体ナノ薄膜結晶成長と構造電子物性制御」、第5章「酸化物半導体」、第2節「新規ワイドギャップ半導体・酸化ガリウムの成膜と物性およびMESFET試作評価」、pp. 240-249、エヌ・ティー・エス、2013年6月11日．
東脇正高：『ワイドギャップ半導体　あけぼのから最前線へ』、第2編「ワイドギャップ半導体エコ技術の最前線」、第5章「情報・通信エコ技術」、第4節「近未来情報・通信システムへの展開」、pp. 336-342、培風館、2013年1月31日．
東脇正高：『ワイドギャップ半導体　あけぼのから最前線へ』、第2編「ワイドギャップ半導体エコ技術の最前線」、第5章「情報・通信エコ技術」、第3節「超高速電子デバイス」、pp. 326-336、培風館、2013年1月31日．
東脇正高：『2013 化合物半導体技術大全』、第2編「化合物半導体基板・デバイス技術」、第7章「その他の化合物半導体基板・応用デバイス」、第4節「Ga₂O₃基板・応用デバイス」、pp. 98-101、電子ジャーナル、2013年1月21日．

2006

東脇正高：『高周波半導体材料・デバイスの新展開』、第II編「結晶成長技術」、第2章「III-N化合物成長技術」、2.「MBE技術」、高周波半導体材料・デバイスの新展開」、シーエムシー出版、2006年11月．
東脇正高：『高周波半導体材料・デバイスの新展開』、第III編「デバイス技術」、第2章「III族窒化物系デバイス」、1. 「HEMT超高周波」、高周波半導体材料・デバイスの新展開」、シーエムシー出版、2006年11月．

雑誌解説記事

2023

東脇正高："ベータ酸化ガリウムパワー半導体に関する研究開発の動向と課題"、工業材料 vol. 71, no. 4（2023年夏号）, pp. 6-7 (2023).

2022

東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの技術動向と応用展開"、工業材料 vol. 70, no. 1（2022年冬号）, pp. 8-12 (2022).

2021

東脇正高："縦型酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向"、車載テクノロジー vol. 8, no. 12, pp. 36-40 (2021).
東脇正高："ベータ酸化ガリウムデバイス"、応用物理 vol. 90, no. 5, pp. 283-289 (2021).

2020

東脇正高、上村崇史："酸化ガリウム電子デバイス研究開発"、情報通信研究機構研究報告 vol. 66, no. 2, pp. 67-73 (2020).
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの可能性"、日本信頼性学会誌 vol. 42, no. 5, pp. 235-240 (2020).

2019

M. Higashiwaki and M. H. Wong, "Ion implantation advances Ga₂O₃ power transistors," Compound Semiconductor vol. 25, no. 6, pp. 66-71 (2019).
東脇正高："酸化ガリウム (Ga₂O₃) パワーデバイスの開発動向および実用化展望"、工業材料 vol. 67, no. 1, pp. 27-30 (2019).

2018

東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの動向"、電気総合誌オーム vol. 105, no. 1, pp. 23-25 (2018).
東脇正高："酸化ガリウムエレクトロニクス"、パリティ vol. 33, no. 1, pp. 38-39 (2018).

2017

東脇正高："酸化ガリウムトランジスターの夜明け"、パリティ vol. 32, no. 10, pp. 52-56 (2017).
熊谷義直、村上尚、倉又朗人、東脇正高："HVPE法による高品質酸化ガリウムエピタキシャル成長技術"、応用物理 vol. 86, no. 2, pp. 107-111 (2017).

2016

東脇正高、熊谷義直、村上尚、倉又朗人："酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と実用化への課題"、エネルギーデバイス vol. 3, no. 6, pp. 43-47 (2016).

2015

倉又朗人、飯塚和幸、佐々木公平、輿公祥、増井建和、森島嘉克、後藤健、熊谷義直、村上尚、纐纈明伯、ワンマンホイ、上村崇史、東脇正高、山腰茂伸："酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用"、日本結晶成長学会誌 vol. 42, no. 2, pp. 130-140 (2015).
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状"、エネルギー・資源 vol. 36, no. 4, pp. 233-236 (2015).

2014

東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と今後"、電子情報通信学会誌 vol. 97, no. 3, pp. 205-208 (2014).
東脇正高、佐々木公平："酸化ガリウム (Ga₂O₃) 結晶成長およびデバイス応用"、表面科学 vol. 35, no. 2, pp. 102-107 (2014).
東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発"、FCレポート vol. 32, no. 1, pp. 12-15 (2014).

2013

東脇正高："酸化ガリウムパワーデバイスが生み出すインパクトと研究開発テーマ"、研究開発リーダー vol. 10, no. 6, pp. 48-52 (2013).

2012

東脇正高、佐々木公平、倉又朗人、増井建和、山腰茂伸："酸化ガリウムトランジスタ"、機能材料 vol. 32, no. 12, pp. 27-33 (2012).
M. Higashiwaki, "Gallium oxide trumps traditional wide bandgap semiconductors," Compound Semiconductor vol. 18, no. 4, pp. 20-23 (2012).
東脇正高：”酸化ガリウム (Ga₂O₃) トランジスタ”を世界で初めて実現、月刊セラミックス vol. 47, no. 5, pp. 379 (2012).
東脇正高、倉又朗人、佐々木公平、山腰茂伸、増井建和："酸化ガリウムをパワー素子に　SiCよりも安く、高性能に"、日経エレクトロニクス vol. 1079, no. 4, pp. 81-89 (2012).

2005

東脇正高、："世界最高速窒化ガリウムトランジスタの開発に成功　― V帯（50-75 GHz）高出力トランジスタ実現へ道拓く ―」、電子情報通信学会誌 vol. 88, no. 10, pp. 839 (2005).
東脇正高："超高速窒化ガリウムトランジスタを開発"、月刊セラミックス vol. 40, no. 7, pp. 562 (2005).
東脇正高："ミリ波帯GaNトランジスタの研究開発"、Microwave Photonics Products vol. 6, no. 2, pp. 10-11 (2005).

2003

東脇正高："InN薄膜で世界最高レベルの電気的特性　超高速トランジスタの可能性を評価へ　発光強度高く、光デバイスに応用も"、日経先端技術 no. 44, pp. 5-6 (2003).

1999

東脇正高："Self-organized quantum wire lasers grown on (775)B-oriented GaAs substrates", Compound Semiconductor vol. 5, no. 6, pp. 38-39 (1999).

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特許（登録済み）

2024

佐々木公平、東脇正高、ワンマンホイ：「半導体素子及びその製造方法」、独 11 2015 003 970 号、令和6年3月14日登録。
佐々木公平、東脇正高：「トレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード」、特許第7433611号、令和6年2月9日登録。

2023

佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、欧州 3151285、令和5年11月22日登録。
上村崇史、中田義昭、東脇正高：「半導体基板及びその製造方法、結晶積層構造体」、特許第7325073号、令和5年8月3日登録。
佐々木公平、東脇正高：「トレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード」、特許第7291331号、令和5年6月7日登録。
Masataka Higashiwaki, Yoshiaki Nakata, Takafumi Kamimura, Man Hoi Wong, Kohei Sasaki, and Daiki Wakimoto, "GA2O3-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE", US 11563092, patented on Jan. 24, 2023.

2022

佐々木公平、東脇正高：「トレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード」、特許第7116409号、令和4年8月2日登録。
倉又朗人、渡辺信也、佐々木公平、八木邦明、八田直記、東脇正高、小西啓太:「半導体基板、半導体素子、及び半導体基板の製造方法」、特許第7061747号、令和4年4月21日登録。
東脇正高、中田義昭、上村崇史、ワンマンホイ、佐々木公平、脇本大樹:「Ga2O3系半導体素子」、特許第7008293号、令和4年1月13日登録。

2021

佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、欧州 2765612、令和3年10月27日登録。
佐々木公平、後藤健、東脇正高、纐纈明伯、熊谷義直、村上尚：「高耐圧ショットキーバリアダイオード」、中国 ZL201680016834.9、令和3年8月10日登録。
佐々木公平、東脇正高：「トレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード」、特許第6845397号、令和3年3月2日登録。
佐々木公平、東脇正高、黄文海（ワンマンホイ）：「半導体素子及びその製造方法」、中国 ZL201580046342.X、令和3年2月12日登録。
佐々木公平、後藤健、東脇正高、ワンマンホイ、纐纈明伯、熊谷義直、村上尚：「半導体素子及び結晶積層構造体」、独 11 2015 003 943 号、令和3年2月4日登録。

2020

佐々木公平、倉又朗人、東脇正高：「半導体素子及びその製造方法、半導体基板、並びに結晶積層構造体」、中国 ZL201580041387.8、令和2年11月17日登録。
Kohei Sasaki, Masataka Higashiwaki "TRENCH MOS-TYPE SCHOTTKY DIODE", US 10825935, patented on Nov. 3, 2020.
佐々木公平、後藤健、東脇正高、纐纈明伯、熊谷義直、村上尚：「高耐圧ショットキーバリアダイオード」、台湾 I707057号、令和2年10月11日登録。
佐々木公平、後藤健、東脇正高、纐纈明伯、熊谷義直、村上尚：「高耐圧ショットキーバリアダイオード」、特許第6758569号、令和2年9月4日登録。
佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系結晶膜の成膜方法、及び結晶積層構造体」、中国 ZL201410810880.9、令和2年2月18日登録。
ワンマンホイ、東脇正高、佐々木公平：「フィールドプレートを有するＧａ２Ｏ３系トランジスタ」、特許第6653883号、令和2年1月31日登録。

2019

佐々木公平、東脇正高、黄文海（ワンマンホイ）：「半導体素子及びその製造方法」、台湾 I665717号、令和元年7月11日登録。
佐々木公平、東脇正高：「半導体素子及びその製造方法」、特許第6543869号、令和元年6月28日登録。
佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、欧州 2889398、令和元年6月12日登録。
佐々木公平、後藤健、東脇正高、黄文海（ワンマンホイ）、纐纈明伯、熊谷義直、村上尚：「半導体素子及び結晶積層構造体」、台湾 I660406号、令和元年5月21日登録。
Kohei Sasaki, Masataka Higashiwaki "GA2O3-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT", US 10249767, patented on Apr. 2, 2019.
Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Masataka Higashiwaki "SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND CRYSTAL LAMINATE STRUCTURE", US 10230007, patented on March. 12, 2019.
佐々木公平、倉又朗人、東脇正高：「半導体素子及びその製造方法、半導体基板、並びに結晶積層構造体」、台湾 I652816号、平成31年3月1日登録。
Kohei Sasaki, Ken Goto, Masataka Higashiwaki, Akinori Koukitu, Yoshinao Kumagai, and Hisashi Murakami "HIGH WITHSTAND VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER DIODE", US 10199512, patented on Feb. 5, 2019.

2018

佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、欧州 2765610、平成30年12月26日登録。
佐々木公平、東脇正高、ワンマンホイ：「半導体素子及びその製造方法、並びに結晶積層構造体」、特許第6406602号、平成30年9月28日登録。
佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、台湾 I634665号、平成30年9月1日登録。
佐々木公平、東脇正高：「結晶積層構造体及び半導体素子」、特許第6344718号、平成30年6月1日登録。
佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、特許第6284140号、平成30年2月9日登録。

2017

佐々木公平、東脇正高、藤田静雄：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、特許第6216978号、平成29年10月6日登録。
佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、中国 ZL201280043335.0、平成29年6月9日登録。
佐々木公平、東脇正高、藤田静雄：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、特許第6142358号、平成29年5月19日登録。
佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法、及びオーミックコンタクト形成方法」、特許第6142357号、平成29年5月19日登録。
佐々木公平、東脇正高：「半導体素子及びその製造方法」、特許第6120224号、平成29年4月7日登録。
Kohei Sasaki, Masataka Higashiwaki, "METHOD FOR CONTROLLING DONOR CONCENTRATION IN Ga2O3-BASED AND METHOD FOR FORMING OHMIC CONTACT", US 9611567, patented on Apr. 4, 2017.
佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、特許第6108366号、平成29年3月17日登録。
佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、特許第6066210号、平成29年1月6日登録。

2016

Kohei Sasaki, Masataka Higashiwaki, "Ga2O3-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT", US 9461124, patented on Oct. 4, 2016.
Kohei Sasaki, Masataka Higashiwaki, "Ga2O3-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT", US 9437689, patented on Sep. 6, 2016.
佐々木公平、東脇正高、藤田静雄：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、特許第5975466号、平成28年7月29日登録。
佐々木公平、東脇正高、藤田静雄：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、特許第5948581号、平成28年6月17日登録。
佐々木公平、後藤健、東脇正高、ワンマンホイ、纐纈明伯、熊谷義直、村上尚：「半導体素子及び結晶積層構造体」、特許第5907465号、平成28年4月1日登録。
佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系結晶膜の成膜方法、及び結晶積層構造体」、特許第5892495号、平成28年3月4日登録。
Kohei Sasaki, Masataka Higashiwaki, "METHOD OF FORMING GA2O3-BASED CRYSTAL FILM AND CRYSTAL MULTILAYER STRUCTURE", US 9245749, patented on Jan. 26, 2016.

2015

佐々木公平、東脇正高、ワンマンホイ：「半導体素子及びその製造方法」、特許第5828568号、平成27年10月30日登録。
佐々木公平、東脇正高：「Ｇａ２Ｏ３系半導体素子」、特許第5807282号、平成27年9月18日登録。

2009

Masataka Higashiwaki, "GAN-BASED FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREFOR", US 7547911, patented on June 16, 2009.

2006

東脇正高：「窒化インジウムアルミニウム半導体の結晶成長方法」、特許第3876323号、平成18年11月10日登録。
東脇正高：「単結晶窒化インジウム膜の取得方法」、特許第3762992号、平成18年1月27日登録。

2005

東脇正高：「サファイア基板上への窒化インジウム積層方法」、特許第3671215号、平成17年4月28日登録。

研究業績リスト（東脇 正高）

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学術論文

酸化ガリウムデバイスに関する研究開発

III族酸化物/窒化物複合構造の形成とそのデバイス応用

ミリ波帯GaNトランジスタおよび物性に関する研究

InN MBE成長および物性に関する研究

ミリ波、サブミリ波帯InP系トランジスタに関する研究

自然形成型高密度GaAs量子細線に関する研究

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