研究設備
Ga2O3デバイスに関する研究開発（東脇グループ）
エピタキシャル成長装置
分子線エピタキシー (Molecular Beam Epitaxy: MBE)
デバイスプロセス装置
コンタクトアライナー
スピンコーター
酸素アッシング装置
TEOS-CVD装置
反応性イオンエッチング (RIE) 装置（塩素ガス系、フッ素ガス系 各1台）
真空蒸着器（ボート/電子線蒸着両用、2台）
半導体基板研磨装置（ラッピング、CMP 各1台）
赤外線アニール装置（2台）
酸・アルカリドラフト
超純水精製器
有機溶媒ドラフト
クリーンベンチ（2台）
その他： C10棟クリーンルームの共用装置（電子線描画装置、段差計、レーザー顕微鏡など）も利用
物性・光学特性評価装置
フーリエ変換赤外線分光装置 (FTIR)
ラマン分光装置
原子間力顕微鏡 (AFM)
その他： 電子物理工学分野の共用装置［X線回折 (XRD)装置］も利用
デバイス・電気的特性評価装置
半導体パラメーターアナライザー（3台）
ベクトルネットワークアナライザー
マニュアルプローバー（3台）
高温測定用プローバー
光照射巨大変形材料、半導体ナノ粒子三次元配列構造に関する研究開発（沈グループ）
光学特性評価装置
分光エリプソメーター（位相変調型：HORIBA製）
分光光度計
透過型ミュラーマトリクス測定計
１Dスキャンレーザー変位計
表面変位量過渡応答測定計
ナノ秒OPOレーザー