研究業績

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学術論文

2024

• M. Higashiwaki, "Gallium oxide power electronics - The key semiconductor for realizing energy sustainable future -," IEEE Electron Device Magazine in press (2024): [Invited review].
• Z. Chen, M. Smith, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Insights into the behavior of leakage current and switching instability in lateral β-Ga₂O₃ MOSFETs," IEEE Trans. Electron Devices vol. 71, pp. 7372-7376 (2024).
• Z. Wang, S. Kumar, T. Kamimura, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Ga₂O₃ fin field-effect transistors with on-axis (100)-plane gate sidewalls fabricated on Ga₂O₃ (010) substrates," Jpn. J. Appl. Phys., vol. 63, pp. 100902 (2024).
• J. J. Morihara, J. Inajima, Z. Wang, J. Yoshinaga, S. Sato, K. Eguchi, T. Tsutsumi, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Electrical properties of unintentionally doped β-Ga₂O₃ (010) thin films grown by low-pressure hot-wall metalorganic chemical vapor deposition," Jpn. J. Appl. Phys., vol. 63, pp. 080901 (2024).
• M. Fregolent, F. Piva, M. Buffolo, C. De Santi, A. Cester, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, and M. Meneghini, "Advanced defect spectroscopy in wide bandgap semicondutors: Review and recent results," J. Phys. D, vol. 57, pp. 433002 (2024).
• M. Higashiwaki and M. H. Wong, "Beta-gallium oxide material and device technologies," Annu. Rev. Mater. Res. vol. 54, pp. 175-198 (2024): [Invited review].

2023

• A. Mishra , M. J. Uren, M. D. Smith, Z. Chen, A. K. Bhat, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Extraction of sub-threshold mobility in Ga₂O₃ lateral transistors from AC conductance," IEEE Electron Device Lett. vol. 44, no. 12, pp. 1943-1946 (2023).
• T. Ohtsuki, T. Kamimura, and M. Higashiwaki, "Suppression of drain current leakage and short-channel effect in lateral Ga₂O₃ RF MOSFETs using (Al_xGa_1−x)₂O₃ back-barrier," IEEE Electron Device Lett. vol. 44, no. 11, pp. 1829-1832 (2023).
• T. Ohtsuki and M. Higashiwaki, "Crystallinity degradation and defect development in (Al_xGa_1−x)₂O₃ thin films with increased Al composition," J. Vac. Sci. Tech. A vol. 41, pp. 042712 (2023).
• R. Togashi, K. Goto, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai, "Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of group-III sesquioxides," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 62, pp. 055503 (2023).
• Z. Wang, T. Kitada, D. Takatsuki, J. Liang, N. Shigekawa, and M. Higashiwaki, "Electrical properties and energy band alignments of p-Si/n-Ga₂O₃ and p⁺-Si/n-Ga₂O₃ heterostructures fabricated by surface-activated bonding," J. Appl. Phys. vol. 133, pp. 194503 (2023).
• Z. Chen, A. Mishra, M. Smith, A. K. Bhat, M. J. Uren, S. Kumar, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Modelling of Impedance dispersion in lateral β-Ga₂O₃ MOSFETs due to parallel conductive Si-accumulation layer," Appl. Phys. Express vol. 16, pp. 044002 (2023).
• R. Togashi, H. Ishida, K. Goto, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai, "Thermodynamic analysis of β-Ga₂O₃ growth by molecular beam epitaxy,"Jpn. J. Appl. Phys. vol. 62, pp. 015501 (2023).
• Y. Shim, D. Kino, and D. Kim, "Optical constants of multilayered collidal ZnSe nanoparticles," Thin Solid Films Vol. 768, pp. 139688 (2023).

2022

• S. Kumar, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Vertical β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes with trench staircase field plate," Appl. Phys. Express vol. 15, pp. 054001 (2022).

国際会議 招待講演

2024

• M. Higashiwaki, "Gallium oxide electronics – Power, harsh environment, and something new –," 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2024), Himeji, Hyogo, Japan, Sep. 1-4, 2024: [Plenary].
• M. Higashiwaki, Z. Wang, S. Sato, K. Eguchi, K. Nakaoka, S. Taniguchi, T. Kamimura, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Vertical Ga₂O₃ (010) FinFETs with (100) sidewalls treated by nitrogen radical irradiation," 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024), Sendai, Miyagi, Japan, Aug. 26-29, 2024.
• M. Higashiwaki, "Progress in Ga₂O₃ material and device technologies towards next-generation power and harsh-environment electronics," 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-5), Berlin, Germany, May 26-31, 2024: [Keynote].
• Y. Kumagai, H. Murakami, K. Sasaki, A. Kuramata, and M. Higashiwaki, "Vapor-phase epitaxial growth of gallium oxide using Ga halides as source gases," 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-5), Berlin, Germany, May 26-31, 2024.
• M. Higashiwaki, Z. Wang, S. Kumar, S. Sato, K. Eguchi, K. Nakaoka, S. Taniguchi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Development of vertical Ga₂O₃ power devices and their processing technologies," 8th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (IEEE EDTM 2024), Bangalore, India, Mar. 3-6, 2024.
• M. Higashiwaki, Z. Wang, S. Kumar, T. Kamimura, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Vertical Ga₂O₃ (010) FinFETs," 59th Annual Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices (WOCSEMMAD 2024), Las Vegas, NV, USA, Feb. 20-23, 2024.

2023

• M. Higashiwaki, "Advances and prospects of gallium oxide material and device technologies," 51st International School & Conference on the Physics of Semiconductors (Jaszowiec 2023), Szczyrk, Poland, June 17-23, 2023.
• M. Higashiwaki, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Ion implantation doping technology for Ga₂O₃ and its application to device fabrication," The 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT2023), Kyoto, Japan, June 8-9, 2023.
• M. Higashiwaki, "Current status of gallium oxide material and device technologies," 35th International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS 2023), Tokyo, Japan, Mar. 27-30, 2023: [Tutorial].
• M. Higashiwaki, Z. Wang, K. Eguchi, S. Sato, S. Taniguchi, K. Nakaoka, and T. Kitada, "Effects of nitridation on electrical properties of Ga₂O₃ surface," 58th Annual Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices (WOCSEMMAD 2023), San Antonio, TX, USA, Feb. 19-22, 2023.

2022

• M. Higashiwaki, T. Kamimura, S. Kumar, Z. Wang, T. Kitada, J. Liang, N. Shigekawa, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Ga₂O₃ device physics and engineering for power electronics and new directions," 15th Asia Pacific Physics Conference (APPC15), Online (Zoom), Aug. 21-26, 2022.
• M. Higashiwaki, T. Kamimura, S. Kumar, Z. Wang, T. Kitada, J. Liang, N. Shigekawa, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Ga₂O₃ device technologies: Power switching and high-frequency applications, and beyond," 5th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2022), Arlington, VA, USA, Aug. 7-10, 2022: [Keynote].
• M. Higashiwaki, "Gallium oxide: Traditional but emerging semiconductor," International Conference on the Physics and Semiconductors 2022 (ICPS 2022), Sydney, Australia, June 27-30, 2022: [Plenary].
• M. Higashiwaki, Z. Wang, T. Kitada, N. Hatta, K. Yagi, J. Liang, and N. Shigekawa, "Development of surface-activated bonding technologies to compensate for shortcomings of Ga₂O₃ devices," 2022 MRS Spring Meeting and Exhibit, Honolulu, Hawaii, USA / Zoom (on-site/online hybrid event), May 8-13 (onsite), 23-25 (online), 2022.
• M. Higashiwaki, "Ga₂O₃ for Power Electronics," IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2022), Vancouver, Canada / Zoom (on-site/online hybrid event), May 22-25, 2022: [Short course].
• M. Higashiwaki, "Gallium oxide power device technologies," 2022 International Power Electronics Conference (IPEC 2022), Himeji, Hyogo, Japan, May 15-19, 2022.

海外大学、研究所 セミナー

2023

• Y. Shim, "Photo-induced Deformation Materials for Novel Light-Driven Devices," "Fundamentals of spectroscopic ellipsometry and its application," "Spectroscopic ellipsometry for colloidal semiconductor nanoparticles," Seminar and Lecture, Baku State University, Baku, Azerbaijan, Mar. 13-15, 2023.  

国内会議、研究、セミナー 招待・依頼講演

2024

• 東脇 正高、大槻 匠、上村 崇史、Zhenwei Wang、佐藤 翔太、江口 輝生、中岡 蔵、谷口 奨季、村上 尚、熊谷 義直："β-Ga₂O₃電子デバイス開発の進展"、学振R032委員会 第15回研究会、四日市市地場産業振興センター、三重、2024年1月12日.

2023

• 富樫 理恵、後藤 健、東脇 正高、熊谷 義直："Ⅲ族酸化物半導体結晶成長の熱力学的検討"、薄膜材料デバイス研究会 第20回研究集会、龍谷大学 響都ホール、京都、2023年11月9-10日.
• 東脇 正高："酸化ガリウムデバイス技術の現状と今後"、透明酸化物光・電子材料研究会 第6回研究会「新しい機能材料と潮流」、東京大 本郷キャンパス、東京、2023年10月20日.
• 東脇 正高："ベータ型酸化ガリウムデバイスの開発動向とダイオード、トランジスタ応用への展望"、技術情報協会講演会セミナー「次世代パワーデバイスに向けたデバイス化技術と要素技術の展望」、オンライン (Zoom)、2023年9月12日.
• 東脇 正高："酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開"、R&D支援センターセミナー「酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開」、オンライン (Zoom)、2023年8月7日.
• 東脇 正高："酸化ガリウム： 材料・デバイス技術の現在地"、第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、山形テルサ、山形、2023年6月15-17日.
• 熊谷 義直、後藤 健、村上 尚、佐々木 公平、倉又 朗人、東脇 正高："HVPE法による縦型Ga₂O₃デバイス用高純度高速エピ成長"、応用電子物性分科会/結晶工学分科会 合同研究会「次世代ワイドギャップパワーデバイスの最前線」、ウインクあいち、名古屋、愛知、2023年6月12-13日.
• 東脇 正高、上村 崇史、大槻 匠、Sandeep Kumar、Zhenwei Wang、江口 輝生、佐藤 翔太、谷口 奨季、中岡 蔵、村上 尚、熊谷 義直："ベータ酸化ガリウムデバイス開発の最近の進展"、応用電子物性分科会/結晶工学分科会 合同研究会「次世代ワイドギャップパワーデバイスの最前線」、ウインクあいち、名古屋、愛知、2023年6月12-13日.
• 東脇 正高："酸化ガリウムパワー半導体の特性と実用化への展望"、シーエムシー出版セミナー「次世代パワー半導体の高性能化と開発動向」、神田、東京、2023年5月26日.
• 上村 崇史、東脇 正高："極限環境化での動作が可能な酸化ガリウムデバイス"、2023年 電子情報通信学会総合大会「BI-5　極限環境コミュニケーション 〜 こんなところに通信技術！？」、芝浦工大 大宮キャンパス、大宮、埼玉、3月7-10日．
• 東脇 正高："酸化ガリウム材料・デバイス研究開発の現状"、第157回 東工大フロンティア材料研究所学術講演会「低炭素社会に向けた次世代パワエレ最前線　～材料からデバイスまで～」、オンライン (Zoom)、2023年2月27日.
• 東脇 正高："酸化ガリウムデバイス開発の現状と今後の展望"、第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会、東レ総合研修センター、三島、静岡、2023年2月3-4日.

2022

• 東脇 正高："Beyond 5Gにおける酸化ガリウムデバイスの役割と可能性"、応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 第51回薄膜・表面物理 基礎講座「Beyond 5Gと薄膜・表面物理の接点」、慶應義塾大学 日吉キャンパス/オンライン (Zoom)、日吉、神奈川、2022年10月31日.
• 東脇 正高："酸化ガリウムの物性と電子デバイス応用"、ワイドギャップ半導体学会 特別公開シンポジウム「チュートリアル講演：ワイドギャップ半導体光・電子デバイスの最前線」、ウインクあいち/オンライン (Zoom)、名古屋、愛知、2022年10月6-7日.
• 東脇 正高： "酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向"、サイエンス＆テクノロジーセミナー「酸化ガリウムの基板製造・薄膜結晶成長技術およびパワーデバイスの開発動向」、オンライン (Zoom)、2022年9月30日.
• 熊谷 義直、池永 和正、石川 真人、後藤 健、村上 尚、町田 英明、倉又 朗人、山越 茂伸、東脇 正高： "β-Ga₂O₃結晶の気相エピタキシャル成長の現状と展望"、化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会 第36回シンポジウム、オンライン (Zoom)、2022年7月1日.
• 東脇 正高： "酸化ガリウムデバイス技術の研究開発"、キャンパスクリエイト「【第1回 サイエンス・サロン】～ナノテクノロジー・新材料技術における最先端研究～」、オンライン (Zoom)、2022年6月22日.
• 東脇 正高： "酸化ガリウム材料・デバイスの技術動向"、応用物理学会 産学連携委員会 システムデバイスロードマップ産学連携委員会 (SDRJ)「2022年度 第2回BC、MtM合同委員会」、オンライン (Teams)、2022年6月21日.
• 東脇 正高、Sandeep Kumar、後藤 健、村上 尚、熊谷 義直： "Ga₂O₃イオン注入ドーピング技術とそのデバイス応用"、日本学術振興会 第R032委員会 第6回研究会「ワイドギャップ半導体Ⅱ」、オンライン (Zoom)、2022年3月4日.

国内大学、企業、研究所 特別講義・セミナー

2023

• 東脇 正高："酸化ガリウムエレクトロニクス　– 新規ワイドバンドギャップ半導体分野の開拓 –"、大阪大学大学院基礎工学部研究科「固体物理セミナー」、2023年6月13日．
• 東脇 正高："ウルトラワイドバンドギャップ半導体 酸化ガリウム　– 次世代半導体材料・デバイス研究開発 –"、大阪大学基礎工学部「電気工学特別講義」、2023年6月13日．

国際会議 一般講演

2024

• S. Taniguchi, K. Nakaoka, T. Uehara, J. Inajima, Y. Teramura, K. Tsujimoto, S. Honda, and M. Higashiwaki, "MBE growth of nitrogen-doped Ga₂O₃ (010) thin films," 23rd International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2024), Matsue, Shimane, Japan, Sep. 8-13, 2024: [Late news].
• T. Ohtsuki, T. Kamimura, and M. Higashiwaki, "Epitaxial growth and radio-frequency characteristics of Ga₂O₃ field-effect transistors with (Al_xGa_1-x)₂O₃ back-barrier layer," 23rd International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2024), Matsue, Shimane, Japan, Sep. 8-13, 2024.
• Z. Wang, S. Kumar, T. Kamimura, S. Sato, K. Eguchi, K. Nakaoka, S. Taniguchi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Effects of nitrogen radical irradiation to Ga₂O₃ (100) surface and its application to vertical Ga₂O₃ FinFETs," 23rd International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2024), Matsue, Shimane, Japan, Sep. 8-13, 2024.
• S. Takemura, S. Konno, D. Matsuo, Y. Andoh, K. Tanaka, K. Yagi, and M. Higashiwaki, "Hot-implantation of high-density Si donors into β-Ga₂O₃," 7th U.S. Workshop on Gallium Oxide (GOX 2024), Columbus, OH, USA, Aug. 5-7, 2024.
• K. Eguchi, Y. Suehiro, R. A. Ferreyra, Y. Ohno, and M. Higashiwaki, "Structural design of high-frequency Ga₂O₃ Schottky barrier diodes for microwave wireless power transmission," 7th U.S. Workshop on Gallium Oxide (GOX 2024), Columbus, OH, USA, Aug. 5-7, 2024.
• Z. Wang, S. Kumar, T. Kamimura, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Ga₂O₃ FinFETs with on-axis (100)-plane gate sidewalls fabricated on β-Ga₂O₃ (010) substrates," 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-5), Berlin, Germany, May 26-31, 2024.
• J. Morihara, Z. Wang, J. Yoshinaga, S. Sato, K. Eguchi, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Investigation of electrical properties of unintentionally doped Ga₂O₃ thin films grown by low-pressure hot-wall MOCVD," 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-5), Berlin, Germany, May 26-31, 2024.
• S. Sato, A. Mineyama, Z. Wang, and M. Higashiwaki, "Effects of oxygen reactive ion etching and nitrogen radical irradiation on temperature-dependent electrical properties of Ga₂O₃ (010) Schottky barrier diodes," 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-5), Berlin, Germany, May 26-31, 2024.
• R. Togashi, K. Goto, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai, "Thermodynamic analysis of (Al_xGa_1-x)₂O₃ growth by molecular beam epitaxy," 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-5), Berlin, Germany, May 26-31, 2024.

2023

• S. Sato, K. Eguchi, Z. Wang, T. Kitada, and M. Higashiwaki, "Effects of oxygen reactive ion etching and nitrogen radical irradiation on electrical properties of Ga₂O₃ Schottky barrier diodes," 6th U.S. Workshop on Gallium Oxide (GOX 2023), Buffalo, NY, USA, Aug. 13-16, 2023.
• K. Nakaoka, S. Taniguchi, T. Kitada, and M. Higashiwaki, "Structural properties of Ga₂O₃ surfaces treated by nitrogen radical irradiation," 6th U.S. Workshop on Gallium Oxide (GOX 2023), Buffalo, NY, USA, Aug. 13-16, 2023.
• Z. Chen, A. Mishra, A. Bhat, M. Smith, M. Uren, S. Kumar, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Modelling of impedance dispersion in lateral β-Ga₂O₃ MOSFETs due to parallel conductive Si-accumulation layer," 6th U.S. Workshop on Gallium Oxide (GOX 2023), Buffalo, NY, USA, Aug. 13-16, 2023.
• T. Ohtsuki, T. Kamimura, and M. Higashiwaki, "Application of (Al_xGa_1-x)₂O₃ as back barrier in lateral Ga₂O₃ radio-frequency field-effect transistors," 65th Electronic Materials Conference (EMC), Santa Barbara, CA, USA, June 28-30, 2023.
• Z. Wang, S. Kumar, T. Kitada, and M. Higashiwaki, "Improvement of Ga₂O₃ Schottky barrier diode characteristics by nitrogen radical treatment," 65th Electronic Materials Conference (EMC), Santa Barbara, CA, USA, June 28-30, 2023.
• T. Onuma, R. Adachi, K. Shoji, T. Yamaguchi, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Honda, and M. Higashiwaki, "Sub-bandgap transition in β-Ga₂O₃ crystals measured by photoluminescence excitation spectroscopy," Compound Semiconductor Week 2023 (CSW 20223), Jeju, Korea, May 29-June 2, 2023.

2022

• T. Ohtsuki and M. Higashiwaki, "Development of defects in (Al_xGa_1-x)₂O₃ thin films associated with Al solubility limit observed by atomic force microscopy," 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-4), Nagano, Japan, Oct. 23–27, 2022.
• R. Togashi, H. Ishida, K. Goto, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai, "Thermodynamic analysis of group-III sesquioxide growth by molecular beam epitaxy," 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-4), Nagano, Japan, Oct. 23–27, 2022.
• A. Mishra, M. J. Uren, M. Smith, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Subthreshold AC conductance of lateral Ga₂O₃ transistors: Mobility and carrier density in the subthreshold region," 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-4), Nagano, Japan, Oct. 23–27, 2022.
• Z. Wang, D. Takatsuki, J. Liang, T. Kitada, N. Shigekawa, and M. Higashiwaki, "p-Si/n-Ga₂O₃ heterostructures fabricated by surface-activated bonding," 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-4), Nagano, Japan, Oct. 23–27, 2022.
• C. De Santi, M. Fregolent, M. Buffolo, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, and M. Meneghini, "Conduction processes, modeling and deep levels in nitrogen-implanted β-gallium oxide Schottky diodes," 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-4), Nagano, Japan, Oct. 23–27, 2022.
• T. Kamimura and M. Higashiwaki, "Development of etching process for fabrication of Ga₂O₃ MOSFETs with self-aligned recessed gate," 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022), Hiroshima, Hiroshima, Japan, Aug. 29-Sep. 1, 2022.
• Z. Chen, A. Mishra, M. Smith, M. Uren, S. Kumar, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Insights into the behavior of leakage currents and switching instability in lateral β-Ga₂O₃ transistors," 5th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2022), Arlington, VA, USA, Aug. 7-10, 2022.
• C. De Santi, M. Fregolent, M. Buffolo, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, and M. Meneghini, "Modeling of the conduction processes and deep levels in annealed nitrogen-implanted β-gallium oxide Schottky diodes," Compound Semiconductor Week 2022 (CSW 2022), Ann Arbor, MI, USA, June 1-3, 2022.
• Y. Shim, D. Kino and D. G. Kim, "Optical Constants of Multi-Layered Colloidal ZnSe Nanoparticles,"The 9th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-9), Bejing, China, Online (Zoom), May 22-28, 2022.
• E. H. Alizade, A. I. Najafov, Z. A. Jahangirli, B. H. Mehdiyev, S. S. Ragimov, M. Ishikawa, S. N. Mammadov, I. R. Amiraslanov, J. N. Jalilli, D. A. Mammadov, Y. G. Shim, K. Wakita and N. T. Mamedov, "Anisotropic Dielectric Function of β-InSe and InTe: a Combined Spectro-Ellipsometric and Ab-Initio Study,"The 9th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-9), Bejing, China, Online (Zoom), May 22-28, 2022.

国内会議、研究会等 一般講演

2024

• 末廣 雄大、江口 輝生、堤 卓也、大野 泰夫、東脇 正高："高周波Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードを用いたマイクロ波無線電力伝送応用に向けたレクテナ回路設計"、応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会、Gメッセ高崎、高崎、群馬、2024年11月24-26日.
• 江口 輝生、末廣 雄大、Romualdo A. Ferreyra、堤 卓也、大野 泰夫、東脇 正高："マイクロ波無線電力伝送に向けた高周波Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード構造の設計"、応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会、Gメッセ高崎、高崎、群馬、2024年11月24-26日.
• 上原 知起、谷口 奨季、中岡 蔵、稲嶌 仁、辻本 晃基、寺村 祐輔、本田 智子、東脇 正高："Ga₂O₃ (010) 基板上にMBE成長した窒素ドープGa₂O₃薄膜 (2)"、応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会、Gメッセ高崎、高崎、群馬、2024年11月24-26日.
• 中岡 蔵、谷口 奨季、稲嶌 仁、上原 知起、寺村 祐輔、辻本 晃基、本田 智子、東脇 正高："Ga₂O₃ (010) 基板上にMBE成長した窒素ドープGa₂O₃薄膜 (1)"、応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会、Gメッセ高崎、高崎、群馬、2024年11月24-26日.
• 谷口 奨季、中岡 蔵、上原 知起、稲嶌 仁、寺村 祐輔、辻本 晃基、本田 智子、東脇 正高："Development of nitrogen doping process for Ga₂O₃ by MBE," 第43回電子材料シンポジウム (EMS-43)、グランドメルキュール奈良橿原、橿原、奈良、2024年10月2-4日.
• 上村 崇史、東脇 正高："β-Ga₂O₃における塩素系ドライエッチングによるキャリアプロファイル異常とその可動性"、第85回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ他 ＋ オンライン、新潟、新潟、2024年9月16-20日.
• 中岡 蔵、谷口 奨季、上原 知起、稲嶌 仁、本田 智子、東脇 正高："窒素ラジカル照射処理したGa₂O₃ (010) 基板上にMBE成長したGa₂O₃薄膜"、第85回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ他 ＋ オンライン、新潟、新潟、2024年9月16-20日.
• 大野 泰夫、伊藤 弘子、平岡 知己、東脇 正高："マイクロ波電力伝送用ワイドバンドギャップ半導体 SBD の特性解析"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会 (ED研) 5月研究会「機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術」、北海道大学、札幌、北海道、2024年5月23-24日.
• 佐藤 翔太、峰山 滉正、WANG Zhenwei、東脇 正高："酸素反応性イオンエッチング、窒素ラジカル照射がGa₂O₃ショットキーバリアダイオードの温度依存電気的特性に与える影響"、第71回応用物理学会春季学術講演会、東京都市大学 世田ヶ谷キャンパス、世田ヶ谷、東京、2024年3月22-25日.
• 稲嶌 仁、森原 淳、WANG Zhenwe、吉永 純也、佐藤 翔太、江口 輝生、熊谷 義直、東脇 正高："減圧ホットウォールMOCVD 成長したノンドープGa₂O₃薄膜の電気的特性（２）"、第71回応用物理学会春季学術講演会、東京都市大学 世田ヶ谷キャンパス、世田ヶ谷、東京、2024年3月22-25日.
• 森原 淳、稲嶌 仁、WANG Zhenwe、吉永 純也、佐藤 翔太、江口 輝生、熊谷 義直、東脇 正高："減圧ホットウォールMOCVD 成長したノンドープGa₂O₃薄膜の電気的特性（１）"、第71回応用物理学会春季学術講演会、東京都市大学 世田ヶ谷キャンパス、世田ヶ谷、東京、2024年3月22-25日.
• Zhenwei Wang, Sandeep Kumar, Takafumi Kamimura, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki："Ga₂O₃ (010) FinFETs with on-Axis (100) gate sidewalls"、第71回応用物理学会春季学術講演会、東京都市大学 世田ヶ谷キャンパス、世田ヶ谷、東京、2024年3月22-25日.
• 江口 輝生、末廣 雄大、Romualdo A. Ferreyra、大野 泰夫、東脇 正高："マイクロ波無線電力伝送応用に向けた高周波Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードの構造設計"、第71回応用物理学会春季学術講演会、東京都市大学 世田ヶ谷キャンパス、世田ヶ谷、東京、2024年3月22-25日.
• 大野 泰夫、伊藤 弘子、平岡 知己、東脇 正高："ワイドギャップ半導体SBDの高周波整流特性"、第71回応用物理学会春季学術講演会、東京都市大学 世田ヶ谷キャンパス、世田ヶ谷、東京、2024年3月22-25日.
• 富樫 理恵、東脇 正高、熊谷 義直："MBE法による(Al_xGa_1-x)₂O₃結晶成長の熱力学的検討"、第71回応用物理学会春季学術講演会、東京都市大学 世田ヶ谷キャンパス、世田ヶ谷、東京、2024年3月22-25日.

2023

• 江口 輝生、佐藤 翔太、Zhenwei Wang、東脇 正高："窒素ラジカル照射によるGa₂O₃ (100), (010) ショットキーバリアダイオード電気的特性の改善"、応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会、ANAクラウンプラザホテル金沢、金沢、石川、2023年11月30日-12月1日.
• 谷口 奨季、中岡 蔵、東脇 正高："窒素ラジカル照射処理を施したGa₂O₃表面構造の評価"、応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会、ANAクラウンプラザホテル金沢、金沢、石川、2023年11月30日-12月1日.
• 中岡 蔵、谷口 奨季、東脇 正高："Effect of nitrogen radical irradiation on Ga₂O₃ surface structures"、第42回電子材料シンポジウム (EMS-42)、THE KASHIHARA、橿原、奈良、2023年10月11-13日.
• 佐藤 翔太、江口 輝生、Zhenwei Wang、東脇 正高："Investigation on effects of oxygen reactive ion etching and nitrogen radical irradiation on Ga₂O₃ (100) and (010) Schottky barrier diodes"、第42回電子材料シンポジウム (EMS-42)、THE KASHIHARA、橿原、奈良、2023年10月11-13日.
• 谷口 奨季、中岡 蔵、東脇 正高："窒化ラジカルを照射したGa₂O₃表面の構造評価"、第84回応用物理学会秋季学術講演会、熊本城ホール他 ＋ オンライン、熊本、熊本、2023年9月19-23日.
• 江口 輝生、佐藤 翔太、Zhenwei Wang、東脇 正高："窒素ラジカル照射がGa₂O₃ショットキーバリアダイオードの電気的特性に及ぼす影響"、第84回応用物理学会秋季学術講演会、熊本城ホール他 ＋ オンライン、熊本、熊本、2023年9月19-23日.
• 李 晨嘯、マメドフ ナジム、沈 用球："ポンプ光照射によりよる３元タリウム化合物の３元タリウム化合物の光学定数の変化の局所的な光学定数変化"、第84回応用物理学会秋季学術講演会、熊本城ホール他 ＋ オンライン、熊本、熊本、2023年9月19-23日.
• 中谷 開智、金 大貴、沈 用球："スプレー型Layer-by-Layer法によるZn系半導体ナノ粒子多積層膜の作製"、第84回応用物理学会秋季学術講演会、熊本城ホール他 ＋ オンライン、熊本、熊本、2023年9月19-23日.
• 中谷 開智、金 大貴、沈 用球： "ZnSとZnSeナノ粒子の混合積層膜作製と光学定数評価"、第70回応用物理学会春季学術講演会、上智大 四ツ谷キャンパス、四ツ谷、東京、2023年3月15-18日.
• 大槻 匠、上村 崇史、東脇 正高： "(Al_xGa_1-x)₂O₃バックバリアを用いた横型Ga₂O₃ MOSFETの高周波特性"、第70回応用物理学会春季学術講演会、上智大 四ツ谷キャンパス、四ツ谷、東京、2023年3月15-18日.
• Zhenwei Wang, Takahiro Kitada, Sandeep Kumar, and Masataka Higashiwaki： "Improvement in electrical properties of Ga₂O₃ Schottky barrier diodes by nitrogen radical treatment"、第70回応用物理学会春季学術講演会、上智大 四ツ谷キャンパス、四ツ谷、東京、2023年3月15-18日.

2022

• 岡野 晃典、沈 用球、 M.Nazim: "TlGaSe₂の光誘起変形におけるポンプパルス光周波数特性"、第83回応用物理学会秋季学術講演会、東北大川内北キャンパス  ＋ オンライン、仙台、宮城、2022年9月20-23日.
• 大月 宥輝、沈 用球: "コロイドSiO₂ナノ粒子多積層膜の作製と光学定数評価"、第83回応用物理学会秋季学術講演会、東北大川内北キャンパス  ＋ オンライン、仙台、宮城、2022年9月20-23日.
• 粟井 啓伍、井筒 由紀、梁 剣波、西村 悠陽、金 大貴、沈 用球、重川 直輝: "Si太陽電池に対する高光学密度半導体ナノ粒子膜の堆積効果"、第83回応用物理学会秋季学術講演会、東北大川内北キャンパス  ＋ オンライン、仙台、宮城、2022年9月20-23日.
• 上村 崇史、東脇 正高： "セルフアラインリセスゲートGa₂O₃ MOSFET作製に向けた エッチングプロセスの開発"、第83回応用物理学会秋季学術講演会、東北大学 川内北キャンパス ＋ オンライン、仙台、宮城、2022年9月20-23日.
• 大槻 匠、東脇 正高： "Al組成の増加に伴う(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜の欠陥の発達"、第83回応用物理学会秋季学術講演会、東北大学 川内北キャンパス ＋ オンライン、仙台、宮城、2022年9月20-23日.
• 富樫 理恵、石田 遥夏、後藤 健、東脇 正高、熊谷 義直： "MBE 法によるⅢ族セスキ酸化物結晶成長の熱力学的検討"、第83回応用物理学会秋季学術講演会、東北大学 川内北キャンパス ＋ オンライン、仙台、宮城、2022年9月20-23日.
• Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Takahiro Kitada, Naoteru Shigekawa, and Masataka Higashiwaki： "Investigation of capacitance–voltage characteristics of p-Si/n-Ga₂O₃ heterostructures fabricated by surface-activated bonding"、第83回応用物理学会秋季学術講演会、東北大学 川内北キャンパス ＋ オンライン、仙台、宮城、2022年9月20-23日.

著書・雑誌解説記事

著書

2022

• 東脇 正高：『次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術』、第1章「次世代パワーデバイスの動向と技術課題」、第3節「Ga₂O₃パワーデバイス」、pp. 30-38、S&T出版、2022年7月27日．

雑誌解説記事

2023

• 東脇 正高："ベータ酸化ガリウムパワー半導体に関する研究開発の動向と課題"、工業材料 vol. 71, no. 4（2023年夏号）, pp. 6-7 (2023).