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2023年12月6日
- 講演
応用物理学会 先進パワー半導体分科会第10回講演会＠金沢にて大学院生2名発表
2023/11/30-12/1に石川県金沢市で開催された応用物理学会 先進パワー半導体分科会第10回講演会 にて、大学院生 (M1) 2名が発表しました。
- 江口 輝生、佐藤 翔太、Zhenwei Wang、東脇 正高： "窒素ラジカル照射によるGa2O3 (100), (010) ショットキーバリアダイオード電気的特性の改善"
- 谷口 奨季、中岡 蔵、東脇 正高： "窒素ラジカル照射処理を施したGa2O3表面構造の評価"
