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2025/3/14-17、千葉県野田市にある東京理科大学 野田キャンパスで開催された 第72回応用物理学会春季学術講演会にて大学院生(M1） 5名 、学部4年生 2名 発表しました。また、東脇教授がシンポジウム招待講演、共同研究者の金野さん（日新イオン機器）が発表しました。

• (B)寺村 祐輔、中岡 蔵、谷口 奨季、稲嶌 仁、上原 知起、辻本 晃基、本田 智子、大槻 匠、上村 崇史、東脇 正高： "プラズマ援用 MBE 成長した窒素ドープ β-Ga₂O₃ (010)薄膜の電気的特性"
• 金野 舜（日新イオン機器）、松尾 大輔（日新イオン機器）、(M1)八木 虎太郎、竹村 真哉（日新イオン機器）、臼井 洸佑（日新イオン機器）、安東 靖典（日新電機）、田中 浩平（日新イオン機器）、東脇 正高： "加熱注入によるGa₂O₃への高濃度Si ドーピング (1) – 構造評価 –"
• (M1)八木 虎太郎、松尾 大輔（日新イオン機器）、金野 舜（日新イオン機器）、竹村 真哉（日新イオン機器）、臼井 洸佑（日新イオン機器）、安東 靖典（日新電機）、田中 浩平（日新イオン機器）、東脇 正高： "加熱注入によるGa₂O₃への高濃度Siドーピング (2) – 電気的特性 –"
• (M1)末廣 雄大、江口 輝生、田端 悠大、堤 卓也、大野 泰夫、東脇 正高： "高周波Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードを活用した24 GHz マイクロ波無線電力伝送用レクテナ回路設計"
• 東脇 正高、上村 崇史 (NICT)、大槻 匠 (NICT)、武山 昭憲 (QST)、牧野 高紘 (QST)、大島 武 (QST)： "極限環境エレクトロニクス応用に向けた酸化ガリウムデバイス開発" 【シンポジウム招待講演】
• (M1)稲嶌 仁、中岡 蔵、谷口 奨季、上原 知起、辻本 晃基、寺村 祐輔、本田 智子、東脇 正高： "酸素、窒素ラジカル同時供給による高濃度窒素ドープGa₂O₃薄膜の プラズマ援用MBE 成長 (1)"
• (B)辻本 晃基、中岡 蔵、谷口 奨季、稲嶌 仁、上原 知起、寺村 祐輔、本田 智子、沈 用球、東脇 正高： "酸素、窒素ラジカル同時供給による高濃度窒素ドープGa₂O₃薄膜の プラズマ援用MBE 成長 (2)"
• (M1)上原 知起、谷口 奨季、辻本 晃基、中岡 蔵、稲嶌 仁、寺村 祐輔、本田 智子、東脇 正高： "プラズマ援用MBE成長した窒素ドープGa₂O₃ショットキーバリアダイオードの電気的特性"
• (M1)森原 淳、坂東 舞生、吉永 純也、熊谷 義直、東脇 正高： "減圧ホットウォールMOCVD成長したSiドープGa₂O₃薄膜の電気的特性に対する高温アニール処理の影響"